摘要：设计了四程泵浦的Yb:YAG薄片激光器。晶体掺杂原子数分数为10%,几何尺寸为直径10mm、厚340μm,提出了Cr/Au金属化方案,采用铟焊工艺将其焊接到微通道水冷热沉上。耦合系统为四程泵浦结构,球面镜规格为直径30 mm、曲率半径50 mm。利用LightTools软件模拟计算了泵浦光斑半径,选用曲率半径200 mm输出镜以使泵浦光斑半径与基模光斑半径比符合模式匹配原则。在激光二极管阵列泵浦功率为18.73 W时,获得了最高功率为4.81 W的1030nm连续激光输出,光-光转换效率为25.7%。

摘要：适配子是对靶分子有高特异性和亲合力的单链寡核苷酸。由于其结构特性,常用于生物检测。目前的适配子光传感器多采用染料或量子点为标记物,存在背景高,不稳定等缺点。新型的荧光材料上转换纳米晶(UCNPs)因其特殊的发光性质颇受关注。与传统的下转换材料相比,它是近红外光激发,避免产生背景荧光和杂散光。利用聚乙酰亚胺为表面配体,水热法合成了NaYF4:Yb3+,Er3+,并设计了UCNPs标记的适配子"光开关"。无目标蛋白时,适配子和标记TAMRA序列形成双链结构,UCNPs和TAMRA距离靠近,荧光共振能量传递发生。有目标蛋白时,适配子倾向于和蛋白结合,能量传递被破坏。UCNPs荧光增强而TAMRA荧光减弱。这种目标分子的依赖性变化就像一个"光开关",可用于生物分子的识别。

摘要：设计了(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用吸收光谱、室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运-探测方法研究了该复合结构中的激子隧穿过程.分别测量了该结构中CdZnTe/ZnTe量子阱层和ZnSeTe/ZnTe量子阱层中激子衰减时间.观察到从CdZnTe/ZnTe量子阱层向ZnSeTe/ZnTe量子阱层的快速激子隧穿,隧穿时间为5.5 ps.

摘要：在20mA电流下,对自行设计的白光LED进行测试,发现荧光粉远离芯片封装方法与传统封装方法相比,流明效率提高了20.3%。效率的提高主要是因为减小了LED芯片对荧光粉散射的吸收。同时测得随着正向电流的增加,色坐标x,y的值逐渐减小,色温升高,而光通量呈非线性增加,流明效率逐渐下降。

摘要：基于光谱烧孔在高密度光存储中的可能应用,研究了谱线非均匀加宽、荧光谱线窄化、高温永久性光谱烧孔、烧孔机理、烧孔动力学过程和光谱孔的热稳定性。在国际上率先设计并研制出二价钐离子掺杂碱土金属氟卤化物混晶高温光谱烧孔体系,实现了室温永久性光谱烧孔,获得了室温寿命300h的光谱孔。利用时间分辨光谱分离出非均匀线形内的各局域组态,比较烧孔前后光谱再分布证实了三价钐离子的电子陷阱作用,利用Block理论分析了烧孔动力学过程。

摘要：设计了一种新型硅基微显示器件场缓存像素电路结构,并通过SPICE模拟与其他像素电路做比较,分析了其电路特点。新型像素结构可使在电压保持期间影响液晶电容电压的晶体管数量降到最低,从而提高了像素电容的电压保持率,降低了闪烁,并减小了电磁干扰对像素电压的影响,提高了器件可靠性,同时提高了对光照的承受能力及对温度变化的适应能力,改善了显示品质,适用于高亮度显示器件。

摘要：由于半导体激光器输出光束的不对称性 ,使得它在许多应用过程中必须采用特殊的光学系统进行光束整形。在设计光学系统的光学元件及进行光学耦合时需要了解激光器的远场特性。通过用量子阱激光器的解理面上的边界条件解亥姆霍兹方程 ,获得关于远场强度分布、光束散角 ,并用计算机给出各种理论曲线及数据。用自行设计制作的测试装置测量 ,获得激光器的远场分布曲线给出了测试数据。计算机给出的理论远场分布曲线与实验测试获得的远场分布曲线完全一致。

摘要：为适应特殊照明用白光发光二极管(white light-emitting diode以下缩写为WLED)研制开发的需要,设计加工了Φ100mm的积分球,通过光纤与现有的荧光分光光度计测量单元耦合,构成LED光、色测试系统。该系统首先给出LED的相对光谱功率分布,据此计算出LED的总光通量等光、色参数。这种方法避免了用一般光度计测总光通量时必须进行色修正的麻烦,也避免了因色修正不充分所带来的较大误差。

摘要：采用5d-4f跃迁的稀土Ce3+-冠醚配合物(Ce-二环己基并-18-冠-6,Ce-DC18C6)作为发光掺杂剂,4,4′-二(9-咔唑基)联苯(CBP)为基质,设计制备了紫外发光器件:ITO/CuPc/Ce-DC18C6∶CBP/Bu-PBD/LiF/Al,首次观测到峰位于376nm的Ce3+离子的紫外电致发光。通过对比器件的EL谱与Ce3+-冠醚配合物薄膜的PL谱发现,EL光谱中有部分来自Ce3+配合物中的Ce3+离子的。这种5d-4f电子跃迁的掺杂质量分数为3%时,该UV-发光器件的最大辐射功率为13μW/cm2。

摘要：设计了一种从衬底入射的共振腔增强型GaInAsSb/GaSb光电探测器结构。在这种结构中,上反射镜是由9.5～15.5个周期的InAs/GaSbQWS组成,下反射镜由3个周期的SiO2/SiQWS组成。器件上表面镀有一层高透射率的抗反射层。计算表明,在设计的工作波长2.4mm,器件可以获得大约(91～88)%的量子效率。在2～2.9mm波长范围器件的量子效率有两个峰,这使得器件可以作为双色探测器来工作。