摘要：物理不可克隆函数(PUF)是一种新型的信息安全硬件,在物联网、消费电子等领域正得到越来越广泛的应用。由于易于设计和制造,而且性能稳定,基于SRAM的PUF是目前得到工业界最广泛应用的PUF类型。针对一款自主设计的基于华虹0.11μm CMOS工艺的SRAM PUF,通过设计FPGA测试电路,PUF芯片测试板,对PUF芯片的片内汉明距离、片间汉明距离、稳定性等关键指标进行了详细测试和分析。测试结果表明,该PUF的片间汉明距离达到42.2%,片内汉明距离20.0%,可以满足身份识别、电子标签等应用的需求。同时,提出了对不稳定位进行筛选的系统级优化方法,可以在不进行模糊提取的情况下将片内汉明距离降低到2.1%。

摘要：小尺寸低功耗的超窄线宽半导体激光是相干通信、光纤传感等领域的核心器件。采用品质因子Q>10^(8)且腔长为7 mm的法布里-珀罗光腔,设计并封装了波长为1550 nm的环形结构的小型自注入锁频激光样机,采用基于100 km光纤的自延时外差方法,测得3 dB线宽约为200 Hz,洛伦兹拟合线宽约为20 Hz。未来可通过提高Q值,改进封装,进一步压窄激光线宽,提供比光纤窄线宽激光性能更加优异的小型窄线宽激光产品。

摘要：提出了一种并联体声波谐振器(BAWR)与Ga_(2)O_(3)基MSM紫外传感器的新型高灵敏度传感器结构,即体声波谐振式日盲紫外光传感器(BAWR-UV Sensor)。设计并制备了MSM Ga_(2)O_(3)紫外传感器和BAWR传感器,将实测的光、暗S参数在仿真软件中封装为S1P数据模型代替MSM等效电路,用MBVD模型代替BAWR等效电路,通过并联两种结构建立了BAWR-UV仿真模型;采用ADS软件仿真了BAWR核心参数对BAWR-UV传感器灵敏度的影响,研究了提高灵敏度的设计方案。仿真结果表明,在0.5~4.5 GHz频率范围内,BAWR-UV的并联Q值越大,阻抗灵敏度越高,同时阻抗灵敏度随频率降低而增大,在并联谐振频率f_(p)=0.533 GHz时获得最佳阻抗灵敏度为100 kΩ/(μW/mm^(2));频率灵敏度随频率的升高而增大,在f_(p)=4.5 GHz时获得最佳频率灵敏度为1.4 MHz/(μW/mm^(2))。最后,开展了高灵敏度日盲紫外传感器的探索。

摘要：目的:通过小干扰RNA(small interfering RNA,siRNA)沉默抗原递呈细胞(Antigen presenting cells,APC)表面共刺激分子CD86的表达,分析其对T细胞增殖和白介素10及IFNγ-分泌的影响,为移植排异和自身免疫性疾病的治疗提供新的思路和方法。方法:设计并通过化学方法合成三对针对人CD86 mRNA的siRNA片段(siRNA-1、2、3),脂质体法转染人B淋巴瘤Raji细胞;转染24、48、72小时后,流式细胞术(Flow cytometry,FCM)检测Raji细胞表面CD86蛋白水平的表达;荧光定量PCR方法检测CD86mRNA水平的表达;分别采用siRNA抑制Raji细胞表面CD86分子的表达、抗人CD86单克隆抗体封闭CD86分子以及二者的联合来阻断CD86-CD28信号通路、MTT和ELISA方法分别检测CD86信号通路被抑制后对T细胞增殖和细胞因子IL-10及IFNγ-分泌的影响。结果:FCM结果显示,Raji细胞表面天然表达CD86的阳性率约为98.0%;转染siRNA后24小时时,仅siRNA-2组表现较为明显的抑制效应,此时细胞表面CD86的阳性表达率约为61.7%,抑制率为37.0%;转染后48小时,control和siRNA-1组Raji细胞表面CD86的表达仍没有变化,而siRNA-2组CD86的表达下降至39.6%,抑制率为59.6%,siRNA-3组CD86的表达下降至72.6%,抑制率为25.9%;siRNA转染后72小时,各组Raji细胞表面CD86的表达均有不同程度的变化,分别为:control组,90.4%;siRNA-1组,83.1%;siRNA-2组,15.2%和siRNA-3组,46.2%;各组的抑制率依次为7.6%,15.2%,84.5%及52.8%。荧光定量PCR结果显示,转染后72小时,仅siRNA-2和siRNA-3组CD86 mRNA水平的表达与Raji细胞相比有显著差异,抑制率分别为78.7%和45.9%。CD86的表达被siRNA-2抑制后,可抑制Raji细胞对T细胞的活化、增殖和IL-10及IFNγ-的分泌;抗人CD86单克隆抗体同样可以抑制Raji细胞对T细胞的激活;并且siRNA-2和抗人CD86单克隆抗体对T细胞的活化抑制具有协同效应。结论:通过siRNA沉默抗原递呈细胞表面共刺激分子CD86的表达,从而阻断CD86/CD28共刺激信号通路,可有效抑制T淋巴细胞的活化、增殖及细胞因子IL-10、IFNγ-的分泌,由此削弱了T细胞应答来诱导免疫耐受。

摘要：提出了一种基于投影式光刻机和电子束光刻机混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法,该方法可用于制作对精度要求比较高的亚微米图形。具体的做法是将亚微米图形分解成高精度图层和普通精度图层,并将两个图层分别采用电子束直写和投影式光刻机依次在同一层光刻胶曝光后,经过一次显影得到完整图形。通过该方法不仅可以大幅减少采用电子束直写亚微米图形所需的时间,还可以有效地保证图形的线宽精度。从图形的数据处理和实验制作两个方面,详细地介绍了采用该方法在硅衬底上制作SU-8亚微米图形的过程。经SEM测试得出,本方法制作的图形尺寸精度和棱角的锐度都非常精确,可比较理想地实现设计者的设计要求。

摘要：研制了一种通用可编程的多量子阱空间光调制器驱动电路。该电路利用软件预处理单元产生非线性光电转换控制信号,采用先粗扫再细扫的二次扫描方式,在保证扫描速度及分辨率的同时,有效降低像素单元电路的面积。通过调整驱动电路开关网络结构,减小了开关噪声,提高了输出精度。采用0.35 μm CMOS模拟工艺,完成了64×64阵列的多量子阱空间光调制器驱动电路的版图设计及流片。测试结果显示,芯片可以很好地工作,驱动电压摆幅为0~VDD,驱动电压分辨率可调,最高至256级,单个像素版图面积仅为65 μm×65 μm,可以与多量子阱空间光调制器倒装在一起,满足多量子阱空间光调制器对驱动电路的要求。

摘要：超晶格是一种新型PUF实现技术,具有物理不可克隆的孪生现象,基于这个现象可以实现异地之间的密钥分发。对超晶格进行温度特性研究实验和温度控制设计。研究结果表明超晶格室温25℃下片内汉明距离为3.39%,温度每变化4℃片内汉明距离上升4%左右,不利于超晶格实际环境中的应用。根据实验结果设计温控系统提高超晶格的温度适用范围,在不影响超晶格正常工作情况下,-20℃~45℃温度范围内保证超晶格的输出端响应信号片内汉明距离波动控制在6%以下。

摘要：使用NAND Flash作为存储媒介的存储设备常需要闪存转换层(FTL)对NAND进行管理。页映射是一种常见的映射方式,但需要很大的内存存放页映射表,在嵌入式环境下这一条件往往无法满足。针对该问题,提出一种基于超级块的混合映射FTL,包括坏块管理、地址翻译、垃圾回收、上电恢复,使用的SRAM空间不到128 KB,远小于页映射,同时不需要存储映射表,程序在固态硬盘开发板上成功运行,实现固态硬盘基本读写功能。测试结果表明,该混合映射FTL方案具有较好的顺序读写性能。

摘要：介绍了量子点太阳电池的工作原理,重点阐述了硫化铅胶体量子点在太阳电池中的应用研究进展,包括纯硫化铅量子点太阳电池、与有机材料和钙钛矿材料杂化的太阳电池,指出配体工程、活性层微结构设计与表面能级修饰是提升硫化铅胶体量子点太阳电池效率的有效手段与普遍做法。针对硫化铅胶体量子点太阳电池面临的问题进行了分析与论述,提出未来的研究工作需结合太阳电池的工作机理,从最大化光电流传输、全波段的光子捕获、界面质量控制和提高稳定性等角度来提升硫化铅太阳电池的效率。

摘要：通过模拟的方法,研究了n型4H-SiC材料中Al离子注入深度、浓度分布与注入角度、缓冲层厚度、注入能量和剂量的关系。通过不同能量和剂量的组合进行了常温注入实验,注入深度为500 nm,注入浓度均匀分布。注入完成后,以SiC上下夹片的保护方式对SiC样品在1 650和1 750℃两种退火温度下进行激活。研究温度对激活效果的影响,观察注入条件和退火保护方式对SiC样品表面粗糙度的影响。激活完成后,在SiC样品上生长了一层Ni,并进行退火,研究激活浓度对Ni与Al注入形成的p-SiC欧姆接触的影响。实验中用喇曼谱表征注入损伤,用原子力显微镜(AFM)监测退火后表面粗糙度,用霍尔测试表征激活效果。实验结果表明,以4°偏角掠射,用100 nm SiO_2作为缓冲层进行注入,以1 750℃用SiC上下夹片保护进行退火,可以得到表面粗糙度为0.862 nm、激活浓度为4.25×1019 cm^(-3)的p-SiC样品。该方法可用于指导pin二极管、JBS、MOSFET、JFET和BJT等器件的设计。