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8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理: 收藏
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引用; 《光学学报》2019年第5期39卷 33-41页; 作者：汪波王立恒刘伟鑫孔泽斌李豫东李珍王昆黍祝伟明宣明中国航天科技集团有限公司第八研究院第八〇八研究所元器件保证事业部上海201109 中国科学院新疆理化技术研究所辐射效应实验室新疆乌鲁木齐830011; 针对卫星轨道上空间辐射环境引起的光学相机性能退化问题,采用8晶体管(8T)-全局曝光互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器进行重离子辐照实验。实验结果显示,不同功能模块寄存器发生单粒子翻转,导致输出图像出现不同的异常模式,主要表...; 针对卫星轨道上空间辐射环境引起的光学相机性能退化问题,采用8晶体管(8T)-全局曝光互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器进行重离子辐照实验。实验结果显示,不同功能模块寄存器发生单粒子翻转,导致输出图像出现不同的异常模式,主要表现为输出图像“卡零”、若干相邻列输出异常、整幅图像“花屏”等。结合器件的不同子电路功能、工艺结构和工作原理,分析重离子入射器件微观作用过程对宏观图像异常模式的影响,深入探讨器件不同功能模块单粒子翻转的敏感性和损伤机理。研究结果可为CMOS图像传感器加固设计、单粒子地面模拟实验方法及标准和评估技术的建立提供重要参考。; 来源：详细信息评论

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