摘要：为实现图形处理器的自主可控,设计了面向OpenGL2.0图形处理器图像处理单元的体系结构.首先,确定了图像处理单元的单元结构及工作流程;其次,针对每条所处理的函数设计了数据通路;随后,依据各函数的数据通路和OpenGL规范,整理了各模块的处理函数对照表;最后,实现了其体系结构,并在虚拟仿真和FPGA平台进行了纹理加载/获取、卷积、颜色表、柱状图等功能验证,对纹理加载进行了峰值性能验证,面向FPGA和ASIC进行了代价评估.结果表明,该结构能够实现图像处理单元所规定的系列功能,性能满足设计要求,峰值情况每秒可处理30帧2K×2K图像,实现代价可接受.目前,该图像处理单元已集成到完全自主研发的图形处理器之中.

摘要：为了提高接收器在多通道和多协议应用中的性能,提出了一种基于高线性度相位插值器的低抖动串行链路接收器。采用环形压控振荡器锁相环提供参考时钟,通过数字滤波器控制相位插值器调整采样时钟相位从而完成低抖动的数据恢复。整个接收器在65 nm CMOS工艺平台实现流片验证,单通道接收器的面积为320μm×685μm。测试结果表明,接收器工作在3.125 Gbit/s时,引入的总抖动仅为11.3 ps;电路采用1.2 V供电,功耗仅为21 m W;在PCIE,FC和SRIO三种协议规定的1.062 5-3.125 Gbit/s数据率下,收发器的误码率均小于10-12。

摘要：设计了一种基于BCD工艺的宽压-宽温电流基准电路。利用片上多晶硅电阻的温度系数受工艺影响较小的特点,选定其为基准电流定义单元。分析片上电阻温度特性,并设计与其温度系数相等的参考电压,加载到电阻上,从而实现了温度系数很低的基准电流。分析了高温下三极管寄生元件漏电现象,通过添加补偿管,提高了基准电流在高温下的稳定性。电流基准基于0.35μm BCD工艺设计。仿真结果表明,在6.5~36 V电源电压、-55℃~125℃内,输出电流为250μA,温度系数为9.3×10^(-6)/℃,受电源变化导致的电流变化量小于62 nA。

摘要：随着半导体技术的进步和发展,专业化分工越来越精细,后端设计、流片加工、封装、测试都已成为专门领域。而集成电路设计、加工各个环节环环相扣密不可分,任何一个环节出现问题都可能导致整个芯片流片的失败。因此如何保证每一个环节的正确性,是每一个集成电路设计单位都面临的问题,其中如何控制集成电路设计的关键外协工序也就变得尤为重要。文中对目前军用大规模集成电路的后端设计、芯片制造、封装的流程及关键工序进行了分析和论述,总结了设计方应重点关注的芯片的后端设计、流片、封装的工艺流程、关键工序及检查方法,对集成电路设计关键外协工序质量控制有较好的指导意义。

摘要：随着集成电路设计规模的不断增加,管壳的设计也日趋复杂。通用管壳往往已经无法满足电气、机械及可靠性要求,需要针对管芯的物理特性及要求进行管壳的定制。陶瓷管壳以其气密性好,可以多层布线,绝缘阻抗高,热膨胀系数与芯片接近等优点,得到了越来越广泛的应用。文中从管壳的需求确认、管壳设计、管壳的仿真验证三个方面对目前复杂陶瓷管壳设计过程进行了分析,研究了大规模集成电路陶瓷管壳需求确认、电设计、热设计、机械设计、电学仿真、热仿真及结构仿真、板级仿真的过程及方法。