摘要：提出了一种新型横向双侧栅结构的GaN JFET,并通过SILVACO软件对器件的沟道宽度、沟道电子浓度和p-GaN空穴浓度进行了优化,得到了阈值电压和输出电流与器件参数之间的变化规律,通过参数优化得到了增强型GaN JFET的结构参数条件。随后对设计的横向双侧栅结构增强型GaN JFET器件进行了击穿特性研究,发现当沟道长度短至0.5μm时,会出现严重的短沟道效应;当沟道长度大于1μm后,器件击穿电压由栅极与漏极间寄生PN结反向击穿决定,与沟道长度无关;采用RESURF(Reduced surface field)终端结构可以显著提升器件击穿电压,优化后的增强型GaN JFET器件击穿电压超过1200 V。此外,采用p型GaN缓冲层替代n型GaN缓冲层,能够有效提高器件的栅控能力。

摘要：研究了一种用于通信电源控制器的软件升级系统。系统基于GD32F405RG芯片开发,在APP阶段使用RS485通信总线作为信息传输方式接收升级程序,再利用CRC等校验算法验证信息传输的正确性,接着将升级程序存储到片外存储芯片W25Q128JVSQ并重启通信电源控制器;在BootLoader阶段将升级程序搬运到GD32F405RG的内部FLASH,同样验证通过后跳转运行。文中详细介绍了系统的总体设计和具体实现方法。测试结果表明,系统在15分钟内成功完成了对通信电源控制器的软件升级,升级后通信电源控制器正常运行。这种软件升级方法降低了升级通信电源维护过程的经济投入,提高了通信电源的可持续性和稳定性。

摘要：磁性元件设计是开关电源设计的难点,变压器作为磁性元件大类中的一个分支,常用于正激或者反激开关电源中进行电源隔离、电压变换等。系统性地介绍了变压器的设计流程,并在变压器试制前通过磁芯窗口面积校核法简化了变压器试制流程。通过实测分析出在变压器的绕制工艺上多股小直径铜线并绕制成的变压器与少股大直径铜线并绕制成的变压器相比,铜损小、温升特性好,可以有效减少开关电源的功耗,降低开关电源运行温度。

摘要：磁通门技术可用于毫安级漏电流的检测。由于磁通门检测本身的特性,输出信号中含有脉冲尖峰,影响漏电流检测的稳定性。多阶低通滤波电路可以有效滤除脉冲尖峰信号,设计了二阶滤波电路,对其进行了数学建模与仿真分析,选取了合适的滤波电路硬件参数。最终通过实验验证了设计的滤波电路在基于磁通门技术的漏电流检测中可有效提高漏电流检测精度,减少系统误判。

摘要：基于电能采集芯片ATT7022EU,设计了一款高精度电能计量装置,该装置采用意法半导体STM32F103作为控制器,通过读取ATT7022EU的寄存器,完成三相交流电的电压、电流、功率、功率因数以及谐波等参数的测量。ATT7022EU手动校准之后精度可以达到0.2 S,但ATT7022EU的校表一直是其应用的难点,关于ATT7022EU的电压、电流、电量的校表也鲜有论述。以ATT7022EU的电量校准为例,详细论述ATT7022EU的校表流程。

摘要：近年来,智能化技术在各个领域得到了应用,使得人们突破了传统的发展模式。在很多领域,智能技术成为当前及未来很长时间内的主流技术。智能城市与智慧园区建设在很多城市得到了实践,取得了一定的发展成果。基于此,本文分析了以服务对象为基础的智慧园区顶层设计,对完善智慧园区网络结构具有重要的参考价值。