摘要：对电子设备进行电磁辐射特性的研究,不仅要考虑机箱表面孔缝的电磁泄露,更要考虑机箱内部干扰源的电磁辐射特性.本文提出一种将PCB的电磁辐射能量导入机箱内部作为干扰源的方法,用于计算电子设备的整机电磁辐射特性,并与耦合微带线作为内部干扰源的方法进行对比.基于本文提出的将PCB作为干扰源的方法,研究了开孔尺寸、开孔类型、开孔位置对电子设备电磁辐射特性的影响,所总结的规律可为电子设备的工程设计提供一定参考标准.

摘要：利用应变技术和沟道晶向工程技术,均可有效增强Si基金属氧化物半导体器件的性能.本文提出了(100)Si p型金属氧化物半导体(PMOS)[110]晶向电导率有效质量双椭球模型,从理论上解释了Si PMOS[100]晶向沟道空穴迁移率为[110]晶向沟道空穴迁移率1.15倍的原因.基于(100)Si基应变PMOS反型层E-k关系,拓展应用该模型,首先获得了(100)Si基应变PMOS反型层价带第一子带等能图,然后给出了(100)Si基应变PMOS器件反型层[110]晶向空穴电导率有效质量模型.本文的模型方案合理可行,可为Si基应变PMOS器件的研究与设计提供有价值的参考.