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检索条件"机构=中芯国际半导体制造有限公司工艺集成部"
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0.13μm铜互连工艺鼓包状缺陷问题的解决
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《电子与封装》2013年 第5期13卷 34-41页
作者：张磊 朱亦鸣上海交通大学微电子学院上海200240 中芯国际半导体制造有限公司工艺集成部上海201203 上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室上海200093 
传统集成电路制造工艺主要采用铝作为金属互连材料,但是随着晶体管尺寸越来越小,在0.13μm及以上制程中,一般采用铜大马士革互连工艺来提高器件的可靠性。铜互连工艺中需要用氮化硅作为穿孔图形蚀刻的阻挡层,由于氮化硅材质具有很强的应...
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