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检索条件"机构=临潼七七一所"

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MOS控制晶闸管(MCT)的设计: 收藏
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引用; 《电力电子技术》1994年第1期28卷 55-57页; 作者：冯玉春刘玉书西安电力电子技术研究所临潼七七一所; 讨论了MCT的结构设计及耐压设计.通过对结构参数的最佳化选择,制造出开关电流9A,耐压900V的MCT芯片.n沟MOS阈值电压为2V,p沟MOS阈值电压为-5V.当门极加-7V电压时,其关断电流密度为220A/cm^2.; 讨论了MCT的结构设计及耐压设计.通过对结构参数的最佳化选择,制造出开关电流9A,耐压900V的MCT芯片.n沟MOS阈值电压为2V,p沟MOS阈值电压为-5V.当门极加-7V电压时,其关断电流密度为220A/cm^2.; 来源：详细信息评论

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