摘要：硅基微显示(Micro-OLED)工艺中,在进行驱动线路制备时,需进行化学机械研磨(CMP)处理,保证金属互联层的稳定性及均一性。不同材料对CMP工艺的耐受性存在差别,切割道或净空区通常为介电材料层(SiO、SiNx等绝缘层),较金属膜层区域更易受CMP磨损,经过多次CMP制程后段差累积加深。在进行Spin涂胶工艺时,段差区偏大(>1μm)会引起涂胶、显影后的关键尺寸(CD)差异过大,造成斜纹Mura显示不良。验证发现,调试不同曝光能量与CD均一性无明显相关性;Spin涂胶转速调整对显影后CD均一性有一定改善,但效果有限,无法完全改善。胶厚0.8~2.5μm验证中,当Spin涂覆胶厚大于2.0μm时,能有效减弱涂胶过程的飞溅效应,斜纹Mura的发生率降低到0%。作为根本防止措施,可在切割道或Dummy区域设计与CMP当层相同的Dummy Pattern,提升CMP工艺制程均一性,从而确保斜纹Mura发生率小于0%。

摘要：LTPS–AMOLED技术已经广泛应用在柔性显示领域,但是由于脆性膜层材料限制无法直接应用于拉伸显示领域.本文以LTPS–AMOLED技术为基础结合镂空技术制备了具有岛桥结构的拉伸显示器件.为确保拉伸显示具有良好的拉伸性能,本文研究了影响拉伸性能的影响因素.首先通过研究拉伸变形机理发现拉伸结构设计时减小桥宽度、增加桥的长度、减小夹角角度和适当增大夹角半径可以更好的释放应力应变.其次研究表明拉伸过程中连接桥会产生拉应变、压应变和中性位置,金属引线位于中性位置或者压应变位置会有效减小断裂风险.连接桥的无机层裂纹产生的诱导断裂会随着其膜厚的增加而增强,而有机层可以阻隔诱导断裂并且阻隔性随着有机层厚度增加而增强,因此通过减小连接桥的无机层厚度、增加有机层厚度可有效减小无机层断裂产生的影响.最后制备了2.3 inch的OLED可伸缩显示屏,水平方向的拉伸量可达到5%以上.

摘要：OLED技术以其自发光性能被认为具有轻薄、可柔性、高对比度、快速响应、高色域、宽视角、低功耗、低成本等优势。在手机上开始大规模应用后,历经10多年时间虽然规模大幅提升,但其他应用仍未有太多进展。本文通过对OLED已量产方案的性能分析以及与LCD的对比,发现一方面预期的OLED性能优势在产品上没有完全发挥,另一方面现有技术方案已经在设计和工艺上趋于极致。因此在向更大尺寸其他应用拓展方面,OLED必须在设计和工艺技术上有较大突破。

摘要：鉴于城市固废焚烧(municipal solid waste incineration,MSWI)过程控制系统的封闭特性与工业现场的安全性要求,如何实现离线多模态数据的时间同步发布和如何搭建数据驱动预测模型的类工业现场验证环境,是实现智能建模算法落地应用需首要解决的关键问题。该文开发多模态数据驱动的MSWI过程验证平台,由多模态历史数据同步子系统和多模态历史数据驱动建模子系统组成。首先,结合现场领域专家预测关键工艺参数过程的抽象化描述,设计验证平台的结构;然后,建立以炉膛温度、烟气含氧量和锅炉蒸汽流量为输出的多模态数据驱动预测模型;最后,搭建硬件环境并开发相应的软件系统,实现子系统间的协同运行。利用实际过程数据与火焰视频验证该平台能够解决多模态数据驱动预测模型构建中存在的采样难、同步难、匹配难等问题,能够提供可靠的工程化验证环境。

摘要：相比于传统有机电致发光器件,串联有机电致发光器件的发光效率与寿命均得到明显提升.因此,深入研究微腔效应对顶发射串联有机电致发光器件性能的影响具有重要意义.本文以蓝光器件为例,通过光学仿真模拟与实际实验相结合的方法,研究了顶发射串联蓝光器件的光学性能与电学性能变化规律.具体实验为:分别制备了顶发射串联蓝光器件,使其两个发光层位置分别位于器件光学结构中的第一与第二反节点、第二与第三反节点、第三与第四反节点.分析并确定了顶发射串联蓝光器件的两个发光层位置分别位于第二反节点与第三反节点处时,器件性能较佳.即:当器件电流密度为15 mA/cm^2时,器件电流效率为10.68 cd/A(色坐标CIEx,y=0.14,0.05),其亮度衰减到95%所需时间为1091.55 h.可能原因是:器件腔长较长时,既可以改善第一发光单元的空穴与电子平衡度、削弱表面等离激元效应,降低膜厚波动性对器件腔长的影响性;又可以在一定程度内起到包裹Partical的作用,提高效率,延长寿命.这一研究成果为设计高效率、长寿命的顶发射串联器件提供了重要依据.

摘要：为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同的影响因素,即版图设计、信号线电压及反转方式、TFT工艺流程、TFT膜质调整分别进行了研究和测试。结果显示信号线和公共电极及绝缘层构成了MIS结构的电容,电容容值的变化导致的公共电压耦合程度与线残像的严重程度呈现明显的对应关系。通过改变非晶硅半导体层的介电常数或者尺寸设计,可以减小信号线与公共电极间的寄生电容(包括信号线金属与公共电极线金属的交叠电容和信号线与像素公共电极间的侧向电容),降低公共电极电压的耦合程度,改善线残像不良。其中提高信号电压转换频率和用紫外光照射半导体层的改善效果最为明显,耦合电压分别下降了55%和62%,线残像的消失灰阶从L172或更高转变为低于L127。研究成果对于大尺寸、高分辨率、高亮度、低功耗的TFT-LCD产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。

摘要：线残像一直是TFT-LCD行业中一个重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文通过对不同样品进行线残像评价及测试公共电极电压的畸变情况,从TFT-LCD背板设计方面研究了公共电极电压的畸变对线残像的影响。首先,通过激光熔接的方法将屏内的公共电极电压信号引出,然后测出在信号线电压作用下的公共电极电压发生畸变的幅值,最后将该幅值和实测的线残像水平进行了对比,同时对不同信号线数量、信号线和公共电极的交叠面积、信号线与公共电极的距离、外围电路补偿等相关设计的测试和研究。结果表明:公共电极电压的畸变程度与线残像水平具有对应性;信号线数量与公共电极电压畸变幅值成比例关系;信号线与公共电极线的单位交叠面积从66μm^2降到37μm^2时,其公共电极电压畸变程度降低了63%;增大公共电极与信号线之间的距离有助于改善甚至消除线残像,当距离从1.49μm增大到2.39μm时,公共电极电压畸变幅值减小了28%。通过降低信号线数量、降低信号线和公共电极线的交叠面积、增大信号线和公共电极的距离、外围电路补偿等方案均可改善线残像水平,对TFT-LCD画面显示品质的提高具有重要指导意义。

摘要：结合某电子工业厂房全厂冷冻水、热水、空压冷却水系统实际运行状况,分析并介绍全厂空压热回收系统和冷冻水系统改造的方案论证、深化设计、改造施工,并分析改造后的节能运行效果。

摘要：为了满足市场对显示产品高分辨率的要求,需要从产品的设计和工艺各个方面进行优化,其中过孔尺寸和线宽两个因素对阵列基板分辨率影响最大,本文通过相移掩模技术可以实现对过孔尺寸的精确控制,通过在普通过孔上增加一定厚度和透过率的相移层,并对各种参数下过孔的光透过率进行模拟分析,可以获得不同相移层参数对过孔特性的影响,最后提出一种可以获得稳定微小过孔的方法。结果表明,通过对相移层透过率和宽度的控制,可以获得对曝光光强不敏感的稳定微小过孔,曝光量增大一倍乃至数倍的过程中,过孔尺寸始终保持稳定,提高了工艺容忍度。对于模拟中过孔尺寸可以小于设备的4μm分辨极限。通过减小过孔尺寸,可以有效提升TFT显示产品的开口率,实现产品对高分辨率的要求。

摘要：从高像素填充因子、低噪声、高帧频、高空间分辨率及柔性五个方面对近些年X射线平板探测器背板工艺的研究进展进行了综述。通过对研究过程中的材料选择、像素结构和读出电路优化的详细阐述,分析了X射线平板探测器背板工艺的研究现状及改善方向。文章同时从新结构、新材料、电路设计及三维探测设计四个方面给出了X射线平板探测背板技术未来的发展趋势。