摘要：建筑的绿色化和智能化,已经成为影响地产项目能否受到关注和欢迎的关键。而绿色建筑和智能建筑,对房地产的装饰设计提出了新的要求。现代的建筑装饰设计,更加重视装饰设计的文化性、环保性和经济性。本文对我国当今房地产建筑装饰设计的发展现状进行分析,并从装饰材料、设计质量、艺术创新、配饰使用、多专业配合、施工规划等方面,探讨了房地产建筑装饰设计与管理的工作要点,为房地产建筑设计与管理工作的开展提供资料参考。

摘要：2014年，大数据进入快速发展的阶段；2015年，将是大数据爆破之年。需求方面，企业对于人数据的需求持续增强，各类大数据应用逐渐落地，并成为产业链的核心，企业着力培育自身的数据资产。供给方面，新兴技术推动大数据技术环境趋向成熟，行业大数据应用渐渐丰富，大数据生态系统多元化程度加强。

摘要：结合某电子工业厂房全厂冷冻水、热水、空压冷却水系统实际运行状况,分析并介绍全厂空压热回收系统和冷冻水系统改造的方案论证、深化设计、改造施工,并分析改造后的节能运行效果。

摘要：线残像一直是TFT-LCD行业中一个重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文通过对不同样品进行线残像评价及测试公共电极电压的畸变情况,从TFT-LCD背板设计方面研究了公共电极电压的畸变对线残像的影响。首先,通过激光熔接的方法将屏内的公共电极电压信号引出,然后测出在信号线电压作用下的公共电极电压发生畸变的幅值,最后将该幅值和实测的线残像水平进行了对比,同时对不同信号线数量、信号线和公共电极的交叠面积、信号线与公共电极的距离、外围电路补偿等相关设计的测试和研究。结果表明:公共电极电压的畸变程度与线残像水平具有对应性;信号线数量与公共电极电压畸变幅值成比例关系;信号线与公共电极线的单位交叠面积从66μm^2降到37μm^2时,其公共电极电压畸变程度降低了63%;增大公共电极与信号线之间的距离有助于改善甚至消除线残像,当距离从1.49μm增大到2.39μm时,公共电极电压畸变幅值减小了28%。通过降低信号线数量、降低信号线和公共电极线的交叠面积、增大信号线和公共电极的距离、外围电路补偿等方案均可改善线残像水平,对TFT-LCD画面显示品质的提高具有重要指导意义。

摘要：刺绣是我同传统手工艺之一，是由绣师通过手工操作的方式存特定的织物上穿针引线以形成图案的一种传统工艺形式。我国是蚕丝的故乡，也是刺绣工艺的发源地。在古代就有各种著名的绣艺，如汉绣、宋绣、顾绣等，现代则有苏绣、粤绣、湘绣、蜀绣等，符具艺术特色。

摘要：'企业生存的本质是它对社会的价值,一家好的企业不但要拥有持续的良好业绩,更重要的是能够赢得整个社会的认可和尊敬。'正是秉持着这样的信念,经过不断探索创新、践行公益、回馈社会,京东正在成为一家有温度、深受公众信赖的伟大企业!精准扶贫,京东联合发起'脱贫攻坚战——星光行动'精准扶贫,始终离不开企业的积极支持。作为国内最大的自营式电商平台,京东同样是电商精准扶贫的代表性企业之一。

摘要：东方园林作为业内屈指可数的上市企业,对景观的产品性、艺术性和生命性有自己独到的看法。本刊采访了东方园林景观设计集团副总裁、首席艺术总监袁超,就园林的建设、施工与养护,特别是日前比较流行的"设计与施工一体化"展开讨论。

摘要：为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同的影响因素,即版图设计、信号线电压及反转方式、TFT工艺流程、TFT膜质调整分别进行了研究和测试。结果显示信号线和公共电极及绝缘层构成了MIS结构的电容,电容容值的变化导致的公共电压耦合程度与线残像的严重程度呈现明显的对应关系。通过改变非晶硅半导体层的介电常数或者尺寸设计,可以减小信号线与公共电极间的寄生电容(包括信号线金属与公共电极线金属的交叠电容和信号线与像素公共电极间的侧向电容),降低公共电极电压的耦合程度,改善线残像不良。其中提高信号电压转换频率和用紫外光照射半导体层的改善效果最为明显,耦合电压分别下降了55%和62%,线残像的消失灰阶从L172或更高转变为低于L127。研究成果对于大尺寸、高分辨率、高亮度、低功耗的TFT-LCD产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。

摘要：分析了导电片冲压工艺和采用级进模生产的可行性与难点 ,阐述了排样设计 ,介绍了模具结构特点和主要零件加工工艺。

摘要：基于漂移 扩散模型和量子理论中的WKB方法 ,用数值模拟方法分析了材料掺杂浓度对硅锥阴极场致发射特性及工作状态的影响 ,结果表明 ,硅锥阴极单纯的场致发射Iemit E特性受硅材料掺杂浓度的影响很小 .但低掺杂硅锥阴极顶端的电位随发射电流增大而明显上升 .锥体上电位变化可以等效为一个与锥体形状与掺杂相关的串联电阻的作用 ,这一电阻对单尖发射电流有负反馈作用 .另外 ,在常规的工作状态下 ,硅锥阴级的温升并不严重 .这些结果可以作为硅锥阴极设计的参考 .