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检索条件"机构=信息产业部电子第十三研究所专用集成电路国家重点实验室"
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GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路
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《功能材料与器件学报》2000年 第3期6卷 201-204页
作者：曾庆明 徐晓春 刘伟吉 李献杰 敖金平 王全树 郭建魁 赵永林 揭俊锋信息产业部电子第十三研究所专用集成电路国家重点实验室石家庄050051 
叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。
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