摘要：研究了不同畴腐蚀深度的掺镁铌酸锂二维六角可调阵列光分束器的分数Talbot效应.对不同Talbot分数β和不同畴腐蚀深度的阵列光分束器Talbot衍射像进行了数值模拟理论研究.模拟结果表明,Talbot分数β可以改变Talbot衍射像的周期及结构分布,而畴腐蚀深度可有效调制衍射像的光强分布.在理论研究的基础上,设计并制备了具有不同畴腐蚀深度的掺镁铌酸锂二维六角阵列光分束器,对其在不同Talbot分数β条件下的分数Talbot效应进行了通光实验研究,实现了畴腐蚀阵列光分束器对近场Talbot衍射光强分布的调制,实验结果与理论研究结果一致.

摘要：采用固相合成法高温烧结Mn_(3)SnC和Mn_(3)CuN两种化合物制备出相变温区连续变化的Mn_(3)Sn_(1-x)CuxC_(1-x)Nx系列化合物,再将不同相变温区的Mn_(3)Sn_(1-x)CuxC_(1-x)Nx化合物进行物理混合制备出反钙钛矿复合磁制冷材料。这种磁制冷材料在室温附近具有“平台”状的磁熵变-温度曲线,与Mn_(3)SnC单体材料相比其磁制冷温区由275~285 K扩展为220~300 K,磁熵变-温度曲线的半高宽从5 K增大到70 K,但是其磁熵变值大幅降低。推导了这种磁制冷材料的最大磁熵变值与磁熵变曲线半高宽和单体材料相对制冷量之间的定量关系式,解释了扩展制冷温区与提高磁熵变值之间的竞争。此定量公式不仅可用于研究反钙钛矿材料体系,对研究其它复合磁制冷材料体系也有重要的参考价值。本文首次根据单体材料的热流曲线提出了新复合磁制冷材料的计算和预测方法,可极大地简化磁制冷复合材料的设计。

摘要：正式MAPbI3 (MA=CH3NH3+)太阳能电池存在明显的电滞效应现象,这严重影响其光伏性能,而反式结构的电池能有效压低电滞效应.使用AMPS-1D程序对反式MAPbI3太阳能电池进行系统理论模拟和优化,分别用Cu2O,CuSCN,NiOx作为空穴传输材料,用PC61BM,TiO2,ZnO作为电子传输材料.数值模拟反式电池光伏性能随MAPbI3材料厚度变化的情况,结果显示ITO/NiOx/MAPbI3/ZnO(或TiO2)/Al太阳能电池的光伏性能最好.ITO的功函数从4.6 eV增加到5.0 eV能显著地提高Cu2O-基和CuSCN-基反式MAPbI3太阳能电池的光伏性能,但对NiOx-基电池光伏性能的提升却很小.实验上ITO功函数更合理范围为4.6-4.8 eV,当ITO功函数达到4.8 eV时NiOx-基反式MAPbI3太阳能电池达到最高效率29.588%.空穴传输材料中空穴迁移率增加能极大地提高反式MAPbI3太阳能电池的光伏性能,而增加电子传输材料TiO2中电子迁移率几乎不能提高电池的性能.这些模拟结果将有助于实验上设计更高性能的反式MAPbI3太阳能电池.

摘要：设计并制备了基于周期极化掺镁铌酸锂(PPMgLN)晶体的二维六角可调位相阵列光栅,在较低外加调制电压下,获得了清晰的阵列光栅泰伯(Talbot)光衍射自成像。试验研究了不同相位差时阵列光栅的近场光衍射图样及取样光点处的相对光强分布,在占空比D为52%、相位差Δφ为0.75π、泰伯分数β为0.5时,近场光衍射相对光强最大。同时在较低外加调制电压(0.461kV)下,即可获得清晰泰伯衍射图样。该研究可为掺镁铌酸锂阵列光栅在集成光学领域的应用提供参考。

摘要：阿秒脉冲由于极短的脉冲宽度和超高的时间分辨能力,在物理学、化学、生物学和医学等领域有着潜在应用.自诞生之日起,阿秒脉冲的时域极限不断突破,使得阿秒脉冲的测量成为一大研究热点.本文主要分为两个部分,第一部分回顾了阿秒脉冲与气体介质作用的脉冲测量技术的发展过程,简述了几种测量阿秒脉冲时域信息的实验原理、实验方案设计以及实验结果.第二部分介绍了从阿秒条纹相机中提取阿秒脉冲时域信息的理论反演算法,包括算法的原理和结构,并从计算时间和计算结果精度上对算法进行了比较.文章最后总结了阿秒脉冲测量技术在实验和理论上的困难与挑战,并展望了未来阿秒脉冲测量的发展方向.