摘要：与传统硅基器件相比,碳化硅(SiC)器件的开关速度得到大幅改善,提高了变换器的功率密度与效率。然而过大的开关频率引起更为严重的栅极串扰问题,造成器件失效。分析了SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关过程与串扰产生原理,详述其设计过程,分析了外并电容的抑制串扰驱动电路,最后设计出一种带有信号隔离功能的可抑制栅极串扰的负压驱动电路。实验结果表明,所设计的SiC MOSFET驱动电路的驱动波形高低电平分明,而且有效抑制了栅极串扰问题,大幅减小器件的开关延时时间,降低了开关损耗。

摘要：核磁共振测井的各模块挂在同一链路,独立模块的工作状态不仅影响着自身功能,还会影响到链路上前后模块功能。基于此,针对发射模块待机噪声问题需要进行优化。通过逐级分析和对比系统前后噪声水平,得出影响发射模块待机噪声的主要因素是驱动碳化硅金属(SiC)-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的DC/DC电源模块的次级输出纹波,该纹波会通过SiCMOSFET、二极管、无源器件等寄生参数传导,耦合到天线端。此处设计了一个无源滤波电路,以降低电源模块次级输出的纹波。仿真和实验数据表明,使用该滤波电路后,发射模块的待机噪声得到了有效抑制。