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超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响: 收藏
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引用; 《中国集成电路》2008年第8期17卷 15-21页; 作者：田波程序亢宝位北京工业大学功率半导体器件和功率集成电路研究室北京100022; 对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法;并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍。; 对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法;并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍。; 来源：详细信息评论

一种施密特触发器型压控振荡器的设计与仿真: 收藏
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引用; 《电子科技》2014年第4期27卷 58-59,63页; 作者：穆辛周新田张慧慧金锐刘钺杨吴郁北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室北京100124; 传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题,文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器,并在0.18μm工艺下对电路进行了仿真。结果表明,相对于传统施密特型压控振荡器,...; 传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题,文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器,并在0.18μm工艺下对电路进行了仿真。结果表明,相对于传统施密特型压控振荡器,新型振荡器输入电压下限值有所下降,且最高振荡频率也有明显提升。; 来源：详细信息评论

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