摘要：为了能够设计出具有反射功能的导模共振光栅,采用光栅的等效介质理论、平面波导理论以及严格耦合波法,进行了理论分析和实验验证,设计了在TE偏振下波长850nm处具有反射共振的导模共振光栅。利用严格耦合波法,计算并分析了光栅参量、入射角以及波导层厚度对共振波长和线宽的影响。结果表明,随着占空比的增大,共振波长会红移,而共振线宽会随着占空比的增大先增后减,占空比为0.5时线宽能达到最宽;共振波长会随着光栅周期和波导层厚度的增大而增大,但线宽几乎不变,当周期从490nm增加到520nm时,共振波长红移了将近50nm,而当波导层厚度从217nm增加到251nm时,共振波长红移了将近25nm;光栅厚度变化对共振波长和共振线宽影响很微弱,当入射角是垂直入射时仅有一个共振峰,但是当入射角不为0°时会出现两个共振峰,并且两个共振波长随着入射角度的变大一个会蓝移而另一个则红移。该研究为实际制备反射导模共振光栅提供了理论指导。

摘要：本文提出一种MOCCII电流模式二阶滤波器的一般电路模型和设计理论。根据该电路模型和理论可以产生多种滤波器结构。每一种结构可以实现低通、带通、高通、带阻及全通滤波器或其中的多种滤波器。所有滤波器的无源元件均接地,且具有很低的灵敏度。最后对所产生的滤波器进行了PSPICE模拟。

摘要：Micro LED微显示技术是将传统LED薄膜化、微小化和矩阵化,像素点距离从毫米级降至微米级,并在一个芯片上高度集成的固体自发光显示技术,因其低功耗、响应快、寿命长、发光效率高等特点,被视为一种独特的显示面板技术。本文主要介绍了Micro LED微显示芯片的制备技术,包括芯片结构设计、制备技术优化、光电集成芯片制备技术、巨量转移技术,最后介绍了芯片小型化效应。

摘要：基于碰撞离化理论研究了异质材料超晶格结构对载流子离化率的作用,设计得到In_（0.53）Ga_（0.47）As/In_（0.52）Al_（0.48）As超晶格结构的雪崩光电二极管。通过分析不同结构参数对器件性能的影响,得到了低隧道电流、高倍增因子的超晶格结构雪崩层,根据电场分布方程模拟了器件二维电场分布对电荷层厚度及掺杂的依赖关系,并优化了吸收层的结构参数。对优化得到的器件结构进行仿真并实际制作了探测器件,进行光电特性测试,与同结构普通雪崩光电二极管相比,超晶格雪崩光电二极管具有更强的光电流响应,在12.5～20 V的雪崩倍增区,超晶格雪崩光电二极管在具备高倍增因子的同时具有较低的暗电流,提高了器件的信噪比。

摘要：本文提出了一种由跨导线性环电路和双极型多端输出的电流镜构成的MOCCII(多端输出的第二代电流传输器)的实现电路。文中详细分析了该电路的工作原理,并给出了实验结果。该电路具有频带宽、电压传输和电流传输精度高、结构简单、易于实现及成本低廉且实用性好的特点。

摘要：本文详细阐述了面发射分布反馈半导体激光器(SE-DFB-LD)的基本工作原理、结构设计及其工作性能,针对国内外研究最新进展与发展现状进行了总结和评述,并在此基础上,对面发射半导体激光器的研究工作和发展趋势做出了进一步的讨论和展望。随着面发射分布反馈半导体激光器各性能指标的不断优化提升和后期加工、装调技术的逐渐成熟,其将不断满足科学研究及工业、军事等实际应用领域对半导体激光器的需求,具有很大的发展潜力。

摘要：利用有效折射率法计算了隧道再生双有源区大功率半导体激光器的工作模式,并对计算得到的激射模式的近场、远场与实验结果进行比较,得到激射模式为一阶模,二者十分吻合,这有助于进一步优化设计波导结构。

摘要：目前剪枝方法中还没有对信息量分布不均的神经网络层做不同剪枝率处理的方法,为此提出一种对不同网络层剪枝不同比例的方式。逐层恢复已经被剪枝神经网络模型的各层,得到各层与模型性能的相关性,对神经网络层进行分类级,对不同类级的神经网络标定不同剪枝率。结合FPGM剪枝方法在cifar10数据集上的实验结果表明,在总体剪枝计算量不变的情况下,不同层级不同剪枝量的方法,模型性能损失更少;在模型性能损失保持良好条件下,可对模型剪枝更高的剪枝量。

摘要：简要介绍了红外探测器的历史和现状。在提出的一种新型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器的构想及已有工作的基础上，建立了一个物理模型，并进行了模拟计算，着重分析了各个器件参数对器件性能的影响，为今后设计器件打下了理论基础，在此基础上特别指出了该构想的一个新用途：外加偏压调制波长红外探测器。

摘要：应用＂掺杂工程＂和＂带隙工程＂各自的特点，设计了一种独特的基区双向高速输运的ＳｉＧｅ／Ｓｉ　ＨＢＴ层结构，并利用此结构在３μｍ工艺线上做出了性能良好的ＳｉＧｅ／Ｓｉ　ＨＢＴ。其主要直流参数为：室温共发射极最大电流增益βｍａｘ（３００Ｋ）可达３００，低温βｍａｘ（７７Ｋ）可达８０００，厄利电压３００Ｖ，漏电流在ｎＡ量级，均为国际先进水平。同时，给出了ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的室温（大注入，小注入），低温（大注入，小注入）的输出特性曲线，进行了对比分析，详细讨论了影响室温β，低温β及其它直流参数的主要因素。