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检索条件"机构=北京市第三代半导体材料及应用工程技术研究中心"
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具有渐变量子垒的氮极性AlGaN基LED实现载流子调控和性能增强（英文）
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《光子学报》2019年 第7期48卷 42-53页
作者：陆义 闫建昌 李晓航 郭亚楠 吴卓辉 张亮 谷文 王军喜 李晋闽中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 北京市第三代半导体材料及应用工程技术研究中心北京100083 阿卜杜拉国王科技大学先进半导体实验室图沃23955-6900沙特阿拉伯 
为了获得高效率的AlGaN基深紫外发光二极管,提出了具有渐变量子垒的氮极性结构来调控载流子的传输.通过氮极性结构在p型电子阻挡层中形成的反向极化诱导势垒,改善空穴注入和电子泄漏问题.另外研究了不同的渐变方向和渐变程度对器件性能...
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