摘要：以"认识亚洲"为例,按照选取主线要素,建立要素联系;设计探究活动,提升学科技能;挖掘时事热点,落实育人价值;建构思维导图,培养地理思维的教学顺序,探索在日常初中区域地理教学设计中提升地理学科能力,落实育人价值的策略。

摘要：物理是一门以实验为基础的学科,物理课程标准要求学生通过观察实验,自主探究物理定律,达到提升物理素养的目的。本文以数码管的学习为例,设计了包含探究式学习、小组合作式学习以及体验法教学的课程。

摘要：本文探讨了如何将传统文化融入初中音乐高效课堂的构建策略。传统文化作为中华文化的瑰宝,具有丰富的艺术资源和独特的审美价值,其融入音乐教学可以丰富学生的文化素养,提高音乐学习的效果。文章介绍了高效课堂的概念以及传统文化在初中音乐课堂中的应用方法,分析了传统文化走进初中音乐高效课堂的重要性,旨在为初中音乐教师提供有益的教学策略,促进学生对传统文化的传承与发展。

摘要：《义务教育地理课程标准(2022年版)》提出需重视创建真实情境,让学生在情境中认知地理事物,同时也强调单元式学习是跨学科主题学习的重要方法。本文以“中国气候”这一单元为例,通过创设跨学科真实情境,设计问题链,逐步培养学生的读图能力、时空综合分析能力,以提升学生的地理学科核心素养,为地理教学的改革和创新提供参考。

摘要：本文以“自制简易密度计”为例,探讨如何通过将STEM理念融入跨学科实践活动的设计与实施之中,为学生建构真实的教学情境。该实践活动以解决问题为主线,以作品设计与制作为外在表现形式,旨在鼓励学生运用跨学科知识解决问题,并最终形成具体的作品。这一过程不仅能够发展学生跨学科知识应用的能力,还能够显著提升他们分析和解决问题的综合能力,同时促进动手实践能力和创新能力的发展。

摘要：教材分析:本节为人教版数学九年级上册第二十四章第一节,教材安排5课时完成,本节为第四课时内容.此前己经安排了圆、垂直于弦的直径及弧、弦、圆心角的内容,本节是在此基础上进行的延伸.圆周角定理揭示了一条弧所对的圆周角与圆心角之间的数量关系,从而为与圆有关的计算,证明角相等,弧、弦相等等数学问题提供了十分简便的方法和思路,既是圆心角、弧、弦之间关系的继续,又是后续研究圆与其他平面图形的桥梁和纽带.

摘要：作业设计是物理教学中的重要环节。科学、合理的作业能够激发学生的学习热情,发展学生的核心素养。教师应分析现阶段初中物理作业设计存在的问题,设计多样化的物理作业形式,教学内容应满足学生的发展需求,体现学科知识融合,选材要具有时代性,使学生养成良好的作业习惯、思维方式。

摘要：正方形是特殊的四边形,也是完美四边形,具有很多特殊的性质,运用这些性质,命题老师能够设计出有新意,却接近课堂教学的高质量试题.学生在解答这类题目时,应该结合正方形的性质,有效分解图形,从中找出基本图形,并运用图形的基本性质进行解答.

摘要：新经济时代的发展趋势下,在满足物质条件的同时愈加强调精神富足的重要性,要求精神文明和物质文明共同发展。党的十九大强调教育要立德树人,重视素质教育,重视德育教育,实现学生的全面发展。在越来越重视精神文化的教育理念中,提高孩子的德育素质,要求教师在注重基础理论知识的教授的同时,也要树立起立德树人的教学理念,在音乐课堂的教学中不断潜移默化德育教育的意识,更好地实现学生的思想道德建设和科学知识学习全面发展。初中音乐课堂是培养学生艺术情操、形成正确审美意识的重要课程,然而由于受到教育形势的影响,初中音乐课程往往会被忽视,大大削弱了音乐教育的作用。本文通过对初中音乐德育教育的研究,对音乐教育渗透德育教育进行分析,探讨如何创新德育教育的方式方法,以更好提高学生综合素质,促进基础教育发展。

摘要：太赫兹时域光谱技术是一种在太赫兹频段内,广泛应用的光谱测量技术。这种技术可以用于许多物质的频谱分析,对于研究化学、半导体与生物分子等领域有着无可比拟的作用。然而用该系统进行样品探测时,受回波的影响频谱分辨率较低;受太赫兹波光斑大小以及待测样品与电磁波相互作用距离长短的影响,样品消耗量较多,并且整个系统的占用空间较大,这些局限性都限制了太赫兹时域光谱系统的进一步发展。为了突破太赫兹时域光谱系统的局限性,设计了一种将太赫兹泵浦区、探测区和传输波导集成到一个硅片上的太赫兹片上系统,该系统不仅能够解决上述系统的局限性,还能够省去样品测量前的光路准直环节,使样品的测量过程更加简便,同时集成化的系统也很大程度上提高了太赫兹波传输的稳定性。在太赫兹片上系统中,泵浦区和探测区的光电导天线是由低温砷化镓和金属电极制成,由于受到太赫兹片上系统的高度集成化和低温砷化镓晶体生长条件的限制,如何制备出低温砷化镓半导体薄膜衬底,并将其转移与键合,是太赫兹片上系统研制过程中的关键环节。首先利用分子束外延(MBE)技术制备出由半绝缘砷化镓、砷化镓缓冲层、砷化铝牺牲层和低温砷化镓层构成的外延片,然后利用盐酸溶液与砷化铝和低温砷化镓反应速度差别较大的原理,将200nm厚的AlAs牺牲层腐蚀掉,从而得到2μm厚的低温砷化镓薄膜。为了更加高效并且完整地得到低温砷化镓薄膜,研究了盐酸溶液在不同温度和不同浓度下与AlAs牺牲层的选择性腐蚀速率的关系。给出了低温砷化镓薄膜制备过程中盐酸的最佳体积比浓度和最佳温度,即在73℃下13.57%的盐酸溶液中进行砷化铝牺牲层的腐蚀。相比于已有工艺,这种腐蚀方法对实验设备的要求较低并且具有较高的安全性。最后,将单层低温砷化镓薄膜转移键合至硅片上,并制成光电导天线的结构。利用飞秒激光脉冲进行激发探测到太赫兹信号。由此说明,低温砷化镓薄膜的获取、转移与键合工艺能够满足芯片级太赫兹系统的制作要求,这为太赫兹片上系统的进一步研制打下了坚实的基础。