摘要：为研究单基极薄基区晶体管的特性 ,设计了一种单侧基极引出结构薄基区的晶体管 ,在p型SOI衬底上全离子注入实现了基区宽度为 80nm的npn纵向结构 ,基区的平均浓度为 10 18cm-3 .经过版图设计和工艺流片 ,在2 μm实验工艺线上研制了这种器件 .基极采用电压输入 ,Vbe在 1 1V附近 ,跨导和电流增益都达到峰值 ,小信号电流增益 βac(ΔIc/ΔIb) =2 7,小信号跨导 gmac(ΔIc/ΔVbe) =0 4 5mS ,且 gmac/ gm(Ic/Vbe)比 βac/ β(Ic/Ib)大得多 ,跨导比电流增益更能准确地描述器件特性 ,这种器件更倾向于电压控制型器件 ,特别适用于数字电路的开发和应用 .

摘要：针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出.采用全离子注入,实现了基区宽度为80～100 nm的npn纵向结构.基极用电压输入,Vbe在1.2 V附近时,跨导峰值gmac(△Ic/△Vbe)=0.4 mS,βac(△Ic/△Ib)=2.5.当Vbe从0.5 V变到1.2 V时,gmac/gm比βac/β大得多.跨导比电流增益更能准确地描述器件特性.这种器件更倾向于电压控制型器件,用输入电压的变化可以很方便地控制器件开关状态的转换,特别适合于数字电路的开发和应用.采用研制的器件连接了双稳态电路,在电压脉冲的控制下实现了双稳态的翻转.

摘要：研究了一种光纤通讯用光电探测器。在GaAs上蒸镀800nm的Ge，并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管（SAM－APD）的结构设计，采用GaAs作为倍增区，Ge作为吸收区。在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为0.2～0.3V，反向击穿电压为2.5V，漏电不明显，p－n结特性良好。