摘要：介绍了离子注入机用的最大电压为100 kV、引出电流为24 mA的吸极电源设计。由于吸极电源的电压非常高,电源的尺寸应尽量小;而且吸极电源的高压输出线要采用插拔方式,并对吸极电源的绝缘提出了非常高要求。为此,提出了一种双层的倍压结构设计和采用倍压整流电路整体部件化的设计方案。

摘要：为了进一步提升旋转靶离子注入机的设备产能,提出了一种基于混合扫描式旋转靶离子注入机剂量控制系统;论述了该旋转靶离子注入机剂量控制系统设计思路、工作原理及控制离子束按设定的剂量精确均匀地注入到晶片表面的实现方法。介绍了该剂量控制系统硬件组成,并描述了剂量控制系统的核心部件剂量积分仪的详细硬件设计方案。基于该剂量控制系统的旋转靶离子注入机已批量交付客户使用,注入均匀性和重复性均达到1%以内。

摘要：介绍了一种离子注入机用、最高电压达到350 kV的层叠开放式加速电源的研制方法。通过将倍压部分设计为层叠开放式、高集成化的倍压筒结构,实现了倍压筒的长期可靠性和绝缘性能,提升了高压电源的电压等级和整体性能。

摘要：碳化硅(SiC)离子注入机是碳化硅半导体器件制造的核心装备,其光路设计与仿真是碳化硅离子注入整机研发的关键核心技术。利用Opera-3D软件研究了B^(+)在不同注入能量下经加速、聚焦到靶室的传输包络图和束流截面形状,模拟仿真了B^(+)通过扫描器、平行透镜后的注入均匀性,并与实际验证结果进行了对比。结果表明:现有SiC离子注入机光路在50~350 keV能量范围内具有较好的束流截面形状、离子传输效率和注入均匀性,能够满足SiC离子注入工艺需要。