摘要：采用SMIC 55 nm CMOS工艺,提出基于电流模结构的2~8 GHz超宽带高线性度直接下变频无源混频器结构.本设计主要结构为低噪声跨导放大器(low noise transconductance amplifier,LNTA)驱动I/Q两路电流模无源混频器,负载为低输入阻抗的跨阻放大器(trans-impedance amplifier,TIA),即LNTA-Passive Mixer-TIA结构.LNTA采用电容交叉耦合以及双端正反馈结构,解决阻抗匹配以及噪声等关键参数的折中问题.整个接收机链路获得较好的线性度及噪声性能,对于电源电压以及衬底噪声的鲁棒性也有所提升.后仿结果表明,在电源电压1.2 V情况下,射频输入信号频率为2~8 GHz,1 dB压缩点为−5.5 dBm,带内输入三阶交调点为−1 dBm,整体噪声系数为4 dB,核心版图面积为0.12 mm^(2).

摘要：本文通过有限元分析设计高灵敏度磁性纳米粒子成像正交接收系统,提升MPI信号检测灵敏度和磁场匀质性,用于预临床小动物级MPI成像。设计的正交接收线圈组新增加x向接收线圈,并且在z向优化了成像视野面积与接收灵敏度,在预临床小动物级MPI成像平台中经过仿真验证、制备、调试、校验,完成了模型成像和小动物成像实验,结果表明本文方法有效提升了图像质量和图像对比度.

摘要：基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测试结果表明,该放大器的最大增益在115 GHz达到11.98 dB,相对带宽为134.98%,增益平坦度为±2 dB,工作频段内增益均好于10 dB,输出功率均好于1 dBm。

摘要：阐述集成电路设计的特点,培养集成电路专业人才面临的挑战,集成电路专业培养中的模式优化,包括采用科教协同的培养模式、学科竞赛融入教学活动之中。