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双基区条准平面型InAlAs/InGaAs异质结双极型晶体
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《固体电子学研究与进展》1991年 第4期11卷 286-290页
作者:苏里曼北京电子管厂100016 
本文提出和制作了双基区条准平面InAIAs/InGaAs HBT.准平面和低基区电阻是该设计的主要特点.文中介绍了制工艺.直流特性的测量表明,器件的共发射极增益h_(fe)为50左右.
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大功率发射在中短波发射机中的地位及其最新进展
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《真空电子技术》1993年 第2期6卷 57-58,50页
作者:李世岳东方电子管厂北京100016 
本文对大功率发射在中、短波机中的地位受作用作了扼要阐述,同时对大功率发射的最新进展如设计思路、结构特点等作了简单介绍。
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256×64点阵液晶显示器模块
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《激光与红外》1996年 第1期26卷 46-47页
作者:吴训北京电子管厂贸易事业部 
报导了256×64点阵液晶显示器模块的工作原理,设计与制造工艺。
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异质结晶体的设计与性能
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《固体电子学研究与进展》1987年 第2期8卷 127-141页
作者:苏里曼北京电子管厂 
本文较详细地讨论了异质结晶体的设计原理、材料选用和结构设计。在能带设计方面对宽发射区、缓变基区和多种收集区分别进行了讨论,比较了不同能带结构的优缺点。文章以晶体的特征频率f_T和最高振荡频率f_(max)为例分析和比较了Ge/G...
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一种新型的半导体氢离子活度测量器
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《生物化学与生物物理进展》1990年 第4期17卷 324-325页
作者:陈冰铨 张鹏 姚淑珍 刘健北京市劳动卫生职业病研究所 北京电子管厂 
离子敏感场效应器件(简称ISFET),是近年来发展的一种测定溶液中离子活度的半导体敏感器件。它将半导体表面场效应原理和离子敏感膜的电化学特性两者相结合,而设计成具有体积小、阻抗低、响应时间快、取样少、操作方便、灵敏度高、稳定...
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电子镇流器的启动电路中平面型触发器件的设计及应用
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《中国照明电器》1995年 第6期 19-21,10页
作者:吴坦北京电子管厂 
电子镇流器的启动电路中平面型触发器件的设计及应用一、引言自从八十年代初飞利浦推出第一支电子镇流器以来,电子镇流器已经有了很大的发展,尤其是随着高压功率晶体性能的改善,应用范围日益扩大。电子镇流器具有高效、节能、重量...
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利用计算机求钻机旋转件转动惯量
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《石油矿场机械》1990年 第2期19卷 31-35页
作者:陈朝达 胡再英 麻和平 陆卫韶西安石油学院 北京电子管厂 
文章阐述了利用电子计算机求钻机旋转件转动惯量的必要性。介绍了计算原理及计算程序的结构设计。将计算结果和实验值比较后证明,其误差已控制在2%以内,可推荐给设计和研究单位使用。
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