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基于巨磁阻抗效应的微磁传感器设计与实现: 收藏
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引用; 《微纳电子技术》2011年第8期48卷 507-510页; 作者：杨慧王三胜郭恺褚向华徐炎北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院功能材料与器件研究室北京100191 北京航空航天大学中英空间科学技术联合实验室北京100191; 介绍了非晶带产生巨磁阻抗(GMI)效应的机理,对Co基非晶带进行了磁场后退火处理,磁阻抗比得到显著提高,为179%。在此基础上设计了一种基于GMI效应的磁传感器电路,详述了各个环节的电路设计。通过优化传感器电路相关的工作参数,改善了传...; 介绍了非晶带产生巨磁阻抗(GMI)效应的机理,对Co基非晶带进行了磁场后退火处理,磁阻抗比得到显著提高,为179%。在此基础上设计了一种基于GMI效应的磁传感器电路,详述了各个环节的电路设计。通过优化传感器电路相关的工作参数,改善了传感器输出性能并给出了典型结果。在常温下,非晶带激励电流频率为10MHz时得到了非晶带的最佳激励电流幅值,为15mA,并测得H-V转换曲线。传感器在开环和闭环下进行了对比试验,在测量磁场范围±1Oe(1A.m-1=4π×10-3Oe)内得到磁传感器灵敏度为219mV/Oe,线性度为10.8%。其在弱磁探测领域有较好的应用前景。; 来源：详细信息评论

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