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IGBT功率模块热管理研究: 收藏
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引用; 《应用技术学报》2020年第3期20卷 211-219页; 作者：翟鑫梦李月锋李抒智陈俊锋姜维宾安勇臧天程苏晓锋张明鹏赵巍许良鹏邹军上海应用技术大学理学院上海201418 上海产业技术研究院上海201206 浙江绿龙新材料有限公司浙江海宁314419 烟台台芯电子科技有限公司山东烟台264006 烟台华创智能装备有限公司山东烟台264006 北京创世杰科技发展有限公司北京100070 北京飞凯曼科技有限公司北京102400 上海环东光电科技股份有限公司上海201108; 随着绝缘栅双极晶体管(IGBT)向高功率和高集成度方向发展,在结构和性能上有很大的改进,热产生问题日益突出,对散热的要求越来越高,IGBT芯片是产生热量的核心功能器件,但热量的积累会严重影响器件的工作性能。因此,对IGBT模块的温度进行...; 随着绝缘栅双极晶体管(IGBT)向高功率和高集成度方向发展,在结构和性能上有很大的改进,热产生问题日益突出,对散热的要求越来越高,IGBT芯片是产生热量的核心功能器件,但热量的积累会严重影响器件的工作性能。因此,对IGBT模块的温度进行有效地检测和管理是十分重要的环节。综述了IGBT模块的研究现状、研究热点以及散热相关技术,主要介绍了主动散热和被动散热的方法、以及IGBT功率模块的热阻网络系统和散热系统设计的主要步骤,和减小热阻来增强散热的方法。; 来源：详细信息评论

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