摘要：高性能荧光屏能够有效提升微光像增强器性能,而荧光屏的性能主要取决于粉层的特性。粉层本质上是由荧光粉堆积而成,因此基于堆积理论关于粉层的研究将有助于指导荧光屏的制备工艺,使之得到高质量粉层,进而提升荧光屏的性能。基于经典粉末堆积理论,结合实际制作工艺过程,以特定型号的荧光粉为例,通过理论分析得出该型号荧光粉最佳粉层厚度及相关制备工艺参数。该方法可以在首先保证粉层最佳厚度的基础上,尽可能地使粉层致密度达到最优,从而得到一个更为优化的粉层结构,使荧光屏的性能更佳。

摘要：设计了两种具有不同场强分布的1 064nm减反射膜结构,即G/H3L/A和G/M2HL/A。采用离子束辅助沉积技术,在K9基底上制备了薄膜,并对薄膜在强激光下的损伤斑形貌及损伤阈值(LIDT)进行了测量。研究结果表明:薄膜的场强分布不同,其抗强激光的能力也不相同。当两种膜系的电场强度(归一化电场强度平方)在薄膜-空气界面处分别为1.039和0.906时,对不同的激光能量(180,150和120mJ),样品G/H3L/A的表面破损斑尺寸均大于样品G/M2HL/A;两种薄膜的激光损伤阈值分别为12.3J/cm2和14.8J/cm2(激光波长为1 064nm,12ns)。这说明,较小的薄膜-空气界面电场强度,有利于激光损伤能力的提高。因此,对于减反射薄膜,在膜系设计时,采用合理的场强分布,降低薄膜-空气界面的电场强度,可以有效改善薄膜的激光损伤特性。

摘要：为了使石墨烯光阴极实现光电转化功能,以超晶格形式掺杂六角氮化硼到石墨烯中,形成杂化纳米带。通过基于第一性原理的计算,从能带结构可以看出,这种方法可以在一个很大的范围内（0~2.5 e V）调控带隙大小。结合能带结构和电荷密度分布分析了带隙调控的机理,此外,运用K-P模型理论分析也得到了一致的结果。以这种方式调控石墨烯材料的带隙,锯齿型边缘和扶手椅型边缘的六角氮化硼/石墨烯（h-BN/graphene）超晶格纳米带,其带隙大小均随着其中h-BN所占比例的增加而变大,而且其带隙大小几乎不受纳米带宽度的影响,这样一来材料的尺寸可以做到更加微型化。再者,基于此方法可以制成渐变带隙结构,进而实现同一光阴极对不同范围光谱的响应。

摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算了InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层材料的电学结构和光学性质,交换关联能采用杂化泛函HSE06来描述。首先对闪锌矿结构GaAs材料能带图进行计算验证,接着建立标准InGaAs材料体结构模型,并对模型进行了动力学的自洽优化,在优化后的基础上进行了非自洽的计算,得到标准InGaAs材料的复介电函数,然后根据KramersKronig关系推出标准InGaAs材料光吸收系数。最后,结合转移电子光阴极量子效率模型,在给定P型标准InGaAs材料非平衡少子扩散长度分别是0.8、1.0、1.2、1.4、1.6和2.0mm的条件下,得到对能量在0.780260~0.820273eV区间内、间距为0.002eV的不同光子能量优化的InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层厚度。

摘要：针对一种短波红外阈透射式光阴极,简要介绍其光子吸收层和电子发射层分离式异质结结构后,结合异质结两侧对红外光子显著吸收效应参数和对电子高效输运特性参数进行建模,详细研究了场助电压对p-p型异质结能带结构和对短波红外阈透射式光电阴极的影响。研究结果显示:Schottky势垒偏压至少要达到8 V才能较好消除p-In Ga As/p-In P异质结的势垒影响。此时,为达到较小的漏电流,In0.53Ga0.47As光吸收层厚度2μm,In P发射层厚度1μm,掺杂浓度均为1×1016 cm-3。

摘要：针对AM-OLED的结构与特点,提出了一种以PIC18LF2550为主控器、以SVGA050微显芯片为对象的OLED接口电路设计方案,通过主控器的I2C串行总线配置各模块的寄存器参数,可以将VGA和CVBS格式的视频输入信息在OLED上正确显示出来。通过对开发的硬件系统进行实测,验证了该方案的有效性。