摘要：在利用ARM微处理器进行实际应用开发时,存储器接口设计是整个应用系统设计的关键。不同的ARM微处理器具有不同的存储器接口,所支持的存储器芯片型号和种类也不尽相同,但在设计方法上却大同小异。文中首先对PXA255微处理器所支持的三类存储器接口设计进行了分析,并以接口设计实例阐明PXA255在进行存储器接口设计时的方法,最后给出了PXA255在实际应用系统中存储器接口设计原理图。

摘要：无线通信的发展对天线(尤其是贴片天线 )的各项性能提出了新的要求。与此同时,双频天线的应用也愈为广泛。总结了贴片天线的主要双频解决方案,包括正交模、多贴片、电抗性加载以及空气缝隙双频贴片等方式,并提出了相应双频贴片天线的适用场合。最后,结合HFSS仿真设计了一个双频双贴片天线,讨论了该天线特性,并对双频天线未来的发展趋势进行了展望。

摘要：随着3TNet网络的迅猛发展,专用于实时监控3TNet网络上各项业务流的业务监控系统越来越受关注,因而对于业务监控系统的研究亦愈显其重要性。主要针对3TNet业务监控系统界面设计和实现过程中所遇到的问题,提出了一种在Linux环境下基于Qt的实现方案。分析Qt在处理图形界面设计、实现信号传递及事件响应等方面的优秀性能。结合实际开发过程,详细描述了系统界面的整体结构设计,网页浏览器嵌入至Qt界面的方法,以及Qt信号/槽机制和事件的调用。

摘要：报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术。采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能，处理后阴极的阈值场强从4V／μm降到～1V／μm，场发射电流密度在4．5V／μm时达到了2．53mA／μm^2，发射点密度从～10^3／cm^3增加到～10^5／cm^2。在此基础上，成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件。

摘要：未来课堂研究已成为教育技术研究领域的一个新热点。国内外研究者依据基本理念和定位已经构建了多个未来课堂环境,随之而来的一个问题是这些环境能否被使用者所接受,而关于未来课堂的用户接受方面的研究还比较鲜见,更没有形成完善的用户接受模型。本研究以技术接受模型、创新扩散理论和环境心理学的相关研究为基础,并结合未来课堂的特性,探索影响未来课堂用户接受的一般性影响因素。经由在我们所构建的未来课堂实验室进行学习的91位学生的问卷调查,并采用结构方程模型对概念模型进行验证,得知外生变量兼容性与自我效能感通过感知易用性影响感知有用性,感知参与性通过感知愉悦性和感知有用性影响行为意图,感知愉悦性和感知有用性是影响行为意图的直接变量,其中以感知愉悦性的影响力最高。研究结果将有助于指导并优化未来课堂的设计与实践。

摘要：半导体器件的MC(蒙特卡罗)模拟是深入研究小尺寸器件的物理过程中必不可少的工具。设计了一种基于三能带近似模型的MC平台,用来研究太赫兹场作用下GaAs/Al0.03Ga0.97As量子阱光探测器内部电子的输运特性。在这个平台的基础上,很好地研究了太赫兹作用下量子阱光探测器在低温和低电场时的电子输运特性。

摘要：采用印刷技术实现了碳纳米管阴极的大面积、低成本制备,并采用等离子体表面改性技术来提高阴极的发射性能。在此工艺基础上,自行设计和封装了七段显示的碳纳米管冷阴极数码管,配以简单的驱动电路,实现了碳纳米管冷阴极数码管的动态显示。

摘要：采用丝网印刷技术和等离子体表面处理方法,制备了16×16点阵式碳纳米管场发射显示器件(Carbon N anotube F ield Em ission D isp lay,CNT-FED)。根据CNT-FED的结构特点,研究了CNT-FED的显示驱动原理,设计了以51单片机为控制核心的驱动电路,实现了点阵式显示器件的动态显示。

摘要：采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。