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像素探测器高速浮点运算数据处理器设计
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《核电子学与探测技术2021年 第3期41卷 431-436页
作者:徐德利 王东 方倪 沈凡 王辉 龚祺 杨远康 周世强 周卓 隗彦伟华中师范大学物理科学与技术学院像素实验室武汉430079 
为满足像素探测器数据处理的需求,设计了一款数据处理器。该处理器采用高速浮点计算,满足大部分常用的数据计算需求,定制的硬件计算单元可大幅缩短计算时间。自定义指令集和编译器,使用编译器分担部分处理器的硬件功能,简化硬件设计。F...
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4×5Gbit/s VCSEL阵列驱动集成电路
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《半导体技术2020年 第2期45卷 110-115页
作者:陈强军 赵聪 郭迪 孙向明华中师范大学物理科学与技术学院像素实验室武汉430079 
基于GSMC 130 nm工艺设计并制备了一款4通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动电路芯片。该芯片核心电路主要包括限幅放大器(LA)、输出级驱动电路、带隙基准电压源、8 bit数模转换器(DAC)电路等。输出级驱动电路将LA输出的电压信号转...
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用于高能物理实验电子读出芯片的低噪声锁相环芯片设计
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《半导体光电》2023年 第2期44卷 187-192页
作者:石群祺 郭迪 赵聪 陈强军 李君丞 易利文 严世伟华中师范大学物理科学与技术学院PLAC硅像素实验室武汉430079 
基于TSMC 180 nm工艺设计并流片测试了一款用于高能物理实验的电子读出系统的低噪声、低功耗锁相环芯片。该芯片主要由鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控振荡器和分频器等子模块组成,在锁相环电荷泵模块中,使用共源共栅电流镜结构...
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2.2 GHz锁相环集成电路
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《电子元件与材料》2023年 第8期42卷 1017-1024页
作者:李君丞 郭迪 赵聪 陈强军 石群祺华中师范大学物理科学与技术学院硅像素实验室湖北武汉430079 
为满足高速数据传输系统对高速低抖动采样时钟的需求,通过Simulink行为级建模验证和Cadence工具设计仿真,基于TSMC 180 nm BCD工艺设计制造了2.2 GHz电荷泵锁相环芯片,并进行了测试。锁相环电路在电荷泵中采用带反馈运算放大器的低漏电...
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基于0.35μm CMOS工艺的单引脚温度传感器设计
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《电子设计工程》2019年 第18期27卷 44-49页
作者:周威 孙向明华中师范大学物理科学与技术学院硅像素实验室 
为了缩小温度传感器占用芯片面积及减少使用芯片引脚个数,采用一种新型片上CMOS温度传感器结构。该结构将带有温度信息的PNP型晶体管的基-射电压VBE与斜坡发生器输出电压进行比较,其比较结果以脉宽形式输出。在片外通过测量输出脉宽宽...
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基于UVM的MIC4像素传感器读出系统验证
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《电子设计工程》2019年 第21期27卷 68-71页
作者:游必辉 孙向明 肖乐华中师范大学物理科学与技术学院硅像素实验室 
为了验证MIC4(MAPS In CCNU 4)像素传感器数字读出系统功能和提高测试平台的重用性,结合UVM验证方法学的高效性及UVM验证平台可重用性的特点,搭建了层次化的模块级验证平台由于该测试平台是层次化的模块级验证平台,只需修改验证平台中...
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2.56GHz低抖动CMOS集成锁相环的设计
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《电子设计工程》2020年 第16期28卷 188-193页
作者:徐安洋 郭迪 孙向明华中师范大学物理科学与技术学院硅像素实验室湖北武汉430079 
设计了一种基于TowerJazz 180 nm CMOS工艺的低抖动集成锁相环芯片。分别从鉴频鉴相器(PFD)、电荷泵(CP)、压控振荡器(VCO)、环路滤波器(LPF)等多个环路模块分析介绍了减小输出时钟抖动的方法和具体电路实现。采用Cadence仿真软件对整...
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基于计数时钟的两步式TDC设计
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《电子设计工程》2021年 第19期29卷 7-12页
作者:岳壮 刘军 孙向明 杨苹 裴骅华中师范大学物理科学与技术学院硅像素实验室湖北武汉430079 
基于实现高精度时间测量的同时又具有大动态范围的目的,文中介绍了一款基于计数时钟在GSMC 130 nm工艺下设计的两步式TDC,电源电压为1.2 V。该设计的核心电路主要包括计数器型TDC、延迟链型TDC、高精度延迟单元、相位检测和移位寄存器...
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用于像素阵列扫描控制的低功耗RISCV处理器
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《电子设计工程》2022年 第12期30卷 53-57页
作者:方倪 徐德利 王东 沈凡 龚祺华中师范大学物理科学与技术学院像素实验室湖北武汉430079 
在高能物理实验中,需要在探测器范围内准确测量粒子的时间和位置信息,因此需要大型像素阵列。当像素探测器在有限的区域内形成统一的模块时,多控制器互连和像素阵列的控制将变得复杂。文中提出了一种可重构的数字读出系统来克服这个问...
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10 Gbps VCSEL激光器驱动CMOS集成电路
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《电子设计工程》2019年 第13期27卷 109-113页
作者:赵聪 郭迪 潘彦君 龚达涛 孙向明华中师范大学物理科学与技术学院硅像素实验室湖北武汉430079 南卫理工会大学物理系德克萨斯达拉斯75275 
本设计采用国内GSMC130nmSOICMOS工艺设计了一款10Gbps的激光器驱动芯片。电路核心部分由限幅放大级、输出驱动电路、8bitDAC电路、偏置基准电路等组成。其中,为了在130nm工艺下实现10Gbps速率,限幅放大级采用共享电感并联峰化技术实现...
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