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检索条件"机构=华中科技大学图像识别与人工智能研究所图像处理与智能控制国家重点实验室"

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一种提高微控制器IP可复用性的核内总线设计: 收藏
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引用; 《计算机工程与应用》2005年第2期41卷 107-108,132页; 作者：薛立勤邹雪城陈朝阳华中科技大学图像识别与人工智能研究所图像处理与智能控制国家重点实验室武汉430074; 提出了一种支持高性能可复用微控制器芯核的体系结构的多路总线及接口,解决了片上外设与微控制器CPU之间的扩展和匹配问题,使得芯核内部互联网络简化,时钟率提高,实现了高性能微控制器的可复用性设计。; 提出了一种支持高性能可复用微控制器芯核的体系结构的多路总线及接口,解决了片上外设与微控制器CPU之间的扩展和匹配问题,使得芯核内部互联网络简化,时钟率提高,实现了高性能微控制器的可复用性设计。; 来源：详细信息评论

超低压差线性稳压器的带隙基准电路设计: 收藏
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引用; 《半导体技术》2006年第7期31卷 542-545,548页; 作者：余华邹雪城陈朝阳华中科技大学电子与科学技术系武汉430074 华中科技大学图像识别与人工智能研究所图像处理与智能控制国家重点实验室武汉430074; 设计了一种采用电流反馈及电阻分压技术,输出可调的,用于单片集成超低压差的CMOS线性稳压器的高性能带隙基准电压电路。它可产生1～1.2217V多个电压基准;当温度从-40～125℃变化时,温度系数为23×10-6/K;具有较高的电源抑制比(PSRR)...; 设计了一种采用电流反馈及电阻分压技术,输出可调的,用于单片集成超低压差的CMOS线性稳压器的高性能带隙基准电压电路。它可产生1～1.2217V多个电压基准;当温度从-40～125℃变化时,温度系数为23×10-6/K;具有较高的电源抑制比(PSRR),其值为78dB。输入电压在2.5～6V变化时,基准电压的变化范围为1.221685±0.055mV,该电路还可为其它电路模块提供PTAT电流。; 来源：详细信息评论

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