• 全部搜索
  • 期刊论文
  • 图书
  • 学位论文
  • 学位论文
  • 标准
  • 纸本馆藏
  • 外文资源发现
  • 产品样本
  • 电子图书
  • 原文传递

限定检索结果

检索条件"机构=华中科技大学电子科学与技术系IC设计中心"
共 2 条 记 录，以下是1-10 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
视图：
排序：
新型槽栅nMOSFET凹槽拐角效应的模拟研究
收藏
分享
引用
《物理学报》2004年 第9期53卷 2905-2909页
作者：童建农 邹雪城 沈绪榜华中科技大学图像所IC设计中心 华中科技大学电子科学与技术系武汉430073 
应用二维器件仿真程序PISCES Ⅱ ,模拟计算了新型槽栅结构器件中凹槽拐角效应的影响与作用 ,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应、阈值电压特性等的影响 .槽栅结构的凹槽拐角效应对抑制短沟道效应和抗热载流子效应...
来源：详细信息评论
一种10/100Mbps自适应以太网卡芯片的PCI接口设计
收藏
分享
引用
《电子工程师》2002年 第12期28卷 12-14页
作者：吴建军 赵江华 孟超 邹连英 邹雪城 何莹华中科技大学图像识别与人工智能重点实验室武汉430074 华中科技大学电子科学与技术系IC设计中心武汉430074 武汉群茂科技公司武汉430073 
介绍了一种基于 10 /10 0 Mbps自适应以太网卡芯片的 PCI接口设计 ,重点讨论了内部模块的设计原理、数据流向 ,及其仿真与测试。
来源：详细信息评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共1页<< <1> >>
聚类工具 回到顶部