摘要：介绍以DS182 0为温度数据采集、转换器 ,80 31单片机为中央处理器制成温度测量系统 ,并给出硬件原理图。

摘要：设计了一种用于皮秒(ps)和飞秒(fs)级超短光脉冲测量和超快过程的微机控制自相关器和实验数据获取与处理系统,给出了实验测量结果.仪器的分辨率达2.5fs,测量灵敏度达微伏量级.

摘要：本文分析讨论研制钢膜电阻温度传感器的几个关键技术和工艺,并说明光刻版的设计要与实验室的工艺条件相适应;蒸发源的纯度、镀膜室的真空度和基片的温度对镀膜的质量有重要影响;镀膜厚度对器件互换性有重大影响,光刻时要防止到蚀过量和刻蚀不足等.文中还公开了作者在这些方面的做法和体会.

摘要：本文设计了一种检测方法,它提拱精确可控制、且在一定的条件下磁感应强度的大小是稳定的磁场,同时设计了一种低噪声的放大电路对磁阻元件的输出进行测量。利用这个装置,可以精确地测量薄膜式InSb-In磁阻元件的灵敏度。本文检测并讨论了磁阻式Insb-In磁阻元件在一定的磁偏置的条件下,外加磁感应强度B与磁阻元件的电阻值的变化率间的关系,从而提出了一种精确、便捷的薄膜型InSb-In磁阻元件的测量方法。

摘要：利用经验公式来计算能带和晶格常数，并用来进行发光材料异质结构的设计，方法简单，直观，在试制和生产中将会有重要的应用．

摘要：本文设计的振动传感器是一种利用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器。与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比,这种传感器的灵敏度更高、频率响应范围更宽。经实测,其提供的电信号的信噪比大于60dB。这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等。

摘要：本文介绍一种采用锑化铟-铟共晶体磁敏电阻作为敏感元件的半导体薄膜型齿轮转速传感器,得出了传感器检测距离与磁阻输出信号的关系曲线。传感器驱动级采用推挽输出的形式,输出矩形脉冲负荷能力强,输出拉电流最大可达200mA以上,当温度在-30℃～+70℃之间变化时,信号处理电路输出依然稳定可靠。

摘要：在用ＭＯＣＶＤ技术外延生长多层结构时，源材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路、设计合理的压强配置而得到控制，获得了晶格匹配好而且介面过度层薄的突变异质结界面．给出了发黄光量子阱结构的气压与流量配置．

摘要：对锑化铟-铟共晶薄膜磁阻元件的齿轮转速传感器电路进行了研究。提出了磁阻三端式信号采集电路和阻容耦合放大的信号处理电路。实验证明:这种信号采集电路输出的信号约是两端型的输出的两倍;传感器的检测距离为≤5mm;传感器能够实现对低转速的测量,检测工作频率2～5kHz之间。