摘要：本文就模压全息图的再现过程进行了论述。由于模压全息图的特殊性，本文论述了模压全息图再现时的一些现象，这对于设计２Ｄ／３Ｄ模压全息图有一定的参考意义。

摘要：从理论上分析了超短光脉冲在色散缓变光纤中无畸变传输所要求的色故变化关系，设计了单模缓变光纤结构参数．数值模拟验证了理论分析结果，指出改变光纤色散参数完全可以克服光纤损耗对光孤子波形的畸变影响．

摘要：在光学数据存储系统中,全息光学元件具有尺寸小、重量轻、能获得高速跟踪和快速搜寻,同时,还具有分束功能。经分析本文进而认为将其推广到可擦光磁存储领域,其必须具有正弦表面结构及偏振特性。本文还对该元件进行了设计。

摘要：设计了一种可以对微变信号进行提取与放大的信号处理电路 ,它适用于 In Sb- In共晶体磁阻元件 (MR)制成的半导体薄膜型电流传感器 (MRCS)。通过实验 ,研究了此种电流传感器的工作特性 ,其通频带为 7Hz- 180 0 Hz。

摘要：2.图形设计 图形设计主要是决定金属薄膜线条的几何尺寸,用l表示线条长度,d表示线条宽度,h表示金属薄膜的厚度,则传感器的额定阻值（R0）可表示为:R0=ρl/dh（10）式中ρ——金属薄膜的电阻率 以铂薄膜电阻温度传感器的设计为例。

摘要：本文分析了金属薄膜电阻温度传感器的工作原理,据此探讨了传感器的结构设计要点,并对初步实验结果进行了讨论。

摘要：介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ,并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ,待测的 5 0Hz交流电流在 40～ 110mA之间变化时 ,输出电压在约 1V至约 3 .5V范围内变化 ,并且两者之间有比较好的线性关系 ,标准偏差 <0 .0 2。输出信号电压与本底噪声之比是 (2 4～ 46 ) :1。

摘要：设计了一种应用在袖珍验钞器电路中的采用锑化铟 -铟 (InSb In)共晶体薄膜型半导体磁头的信号处理电路 ,研究了这种电路的工作特性。实验证明 :对新版人民币的金属安全线进行磁性信号采集时 ,磁头输出端信号电压的变化量在 - 0 .4mV至 0 .4mV范围内 当信号处理电路中的集成运放的静态电压设置为 2V、信号放大倍数设置为 10 0 0 0倍左右时 。

摘要：通过分析AWG中心波导倾角特性 ,优化焦点间距 ,提出了两个结构约束方程 ,得出了结构紧凑的AWG设计方法 根据这一方法 ,可以由一定损耗条件下的最小弯曲半径和接口参数—接口处输入 /输出波导间距和最短直波导长度 ,优化并完全确定其它结构参数 ,从而得到最小面积的AWG波导结构

摘要：通过对典型结构的高亮度发光二极管 (HB LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析 ,计算了LED的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系 ,结果表明顶层厚度对器件光电特性的影响很大 ,较厚的顶层可以使器件的注入电流容易扩展、光容易耦合输出。优化设计后得到顶层厚度应该在 4 9～ 98μm之间。最后给出器件外量子效率与顶层厚度的关系曲线 ,并预言以GaAs为吸收衬底的LED外量子效率最大不超过 12 1%。