摘要：采用非对称结构和双悬浮技术设计了射频开关芯片,测试结果表明,工作频率为2.4GHz的射频开关,在发射模式下,插损为-1.18dB,隔离度为-31.88dB,在接收模式下,插损为-1.48dB,隔离度为-25.08dB,发射时P1dB大于22dBm,接收时为14dBm。由于采用串并结构,极大地增加了隔离度,这种高性能的收发开关的实现主要得益于P阱、深N阱的双悬浮技术,还有堆叠电路结构的应用,同时堆叠结构的分压效果使得通过增加堆叠个数可以进一步提高处理大摆幅信号的能力。

摘要：设计了一种新颖的伪垂直结构PNP晶体管。在锗硅BiCMOS工艺基础上,仅增加基区和集电区两道离子注入,以低成本工艺实现了优良的性能。晶体管电流增益在30以上,击穿电压大于7V,特征频率10GHz,满足高速电路设计的要求。

摘要：研究了LDMOS在ESD放电过程中的机理及二次触发的现象,通过对LDMOS器件关键尺寸的优化设计与结构的改进,结合器件计算机辅助设计技术(TCAD)仿真、传输线脉冲(TLP)测试以及失效分析(FA)等手段,改善了其初始失效问题。同时大幅提升了LDMOS的ESD泄放能力,并进一步总结了LDMOS器件的ESD性能的优化方向。

摘要：介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的"L形"二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区。该器件可在同一工艺中通过版图中横向集电区长度的变化实现不同的击穿电压,因此可制作超高压SiGe HBT,并实现不同击穿电压的超高压SiGe HBT阵列。详细阐述了该器件的制作工艺,并对器件的直流和射频性能作了系统的总结和分析。

摘要：报告了0.18μm高速N型锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构和制作工艺。分析了SiGe HBT器件的直流和射频特性,其截止频率为110 GHz,击穿电压为1.8 V,电流增益为270。研究了集电区掺杂及锗硅碳外延基区的厚度与掺杂工艺条件对器件特性的影响,并给出最优化的工艺条件。

摘要：采用上海华虹nec0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。

摘要：提出了一种10位200MHz高速流水线型模数转换器。该转换器共有9级,其中1到8级采用1.5位每级结构,最后一级采用2位闪速型模数转换器结构。设计中使用带增益自举的套筒式共源共栅运放,可同时获得高增益和大带宽,并通过运放共享技术提高工作速度。采用改进的数字校正算法,将运算分配到数字码的延迟步骤中,减少运算时间。仿真结果显示,在192MHz的采样速度下,模数转换器的有效位为8.9,SNR为58.3dB,SFDR为62.8dB,其他动态和静态特性也达到了较好的指标。

摘要：设计了一种适用于SiGe BiCMOS工艺的低成本、高性能垂直结构PNP器件。基于仿真结果,比较了不同发射区和基区制作方法对器件特性的影响。在确定器件结构和制作工艺的基础上,进一步优化了器件特性。基于仿真得到的工艺条件所制作的PNP器件,其特性与仿真结果基本一致。最终优化的PNP器件的电流增益为38,击穿电压大于7V,特征频率为10GHz。该PNP晶体管改善了横向寄生硅基区PNP晶体管的性能,减少了垂直SiGe基区PNP晶体管工艺的复杂性,采用成本低廉的简单工艺实现了优良的器件性能。

摘要：基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种用于10位200 MHz高速流水线模数转换器的CMOS LVDS收发电路。该收发电路由发射器（TX）和接收器（RX）组成。发射器通过带共模反馈的闭环控制电路,将0-3.3 V的CMOS信号转换成（1.2±0.35）V的LVDS信号。接收器采用一个轨至轨预运算放大器保证LVDS信号的完整接收,并实现一定的增益,之后由迟滞比较器和输出缓冲器实现对共模噪声的抑制以及信号驱动能力的提高,最终正确恢复出CMOS信号。仿真结果表明,在400 MHz脉冲输入下,收发器可以稳定工作在3-3v电源电压，总功耗仅为22．4mW。

摘要：介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入用于对i区进行轻掺杂。借助半导体工艺与器件仿真软件,得到了有源区尺寸、赝埋层到有源区的距离、p-i-n注入条件等关键工艺参数对p-i-n性能的影响。最后优化设计的p-i-n二极管,其在2.4 GHz频率下的指标参数,如插入损耗为-0.56 dB,隔离度为-22.26 dB,击穿电压大于15 V,它达到了WiFi电路中的开关器件的性能要求。