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10W高线性802.11n功率放大芯片设计: 收藏
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引用; 《电子产品世界》2016年第4期23卷 50-52页; 作者：陈璐张晓东田婷王锋南京医科大学信息网络中心江苏南京210029 苏州科技学院电子与信息工程学院江苏苏州215009 东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心江苏南京211189 苏州英诺迅科技股份有限公司江苏苏州215123; 本文介绍了一款用于无线局域网802.11n的10W功率放大芯片。该芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特点,并且使用方便。芯片采用Ga As HBT技术,芯片面积仅为10mm×10mm。功率放大器采用了热分流式结构,饱和输出功率可达41d ...; 本文介绍了一款用于无线局域网802.11n的10W功率放大芯片。该芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特点,并且使用方便。芯片采用Ga As HBT技术,芯片面积仅为10mm×10mm。功率放大器采用了热分流式结构,饱和输出功率可达41d Bm,功率附加效率达到40%,功率增益为38d B。此外芯片内部设计了50欧姆的输入输出匹配电路与片内ESD保护电路,方便用户安全使用。; 来源：详细信息评论

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