• 全部搜索
  • 期刊论文
  • 图书
  • 学位论文
  • 学位论文
  • 标准
  • 纸本馆藏
  • 外文资源发现
  • 产品样本
  • 电子图书
  • 原文传递

限定检索结果

检索条件"机构=南京西格玛微电子研究所"
共 1 条 记 录，以下是1-10 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
视图：
排序：
用离子注入技术制作的砷化镓霍尔传感器
收藏
分享
引用
《计算机自动测量与控制》1999年 第1期7卷 51-54页
作者：夏先齐 茅保华南京西格玛微电子研究所 
针对器件低内阻下的高灵敏度这一器件特性上的难题，在砷化镓霍尔传感器设计中采用非对称十字形结构。在制作上采用全离子注入平面化技术，获得了在８００Ω内阻上大于２５ｍＶ／ｍＡ·ＫＧ的高灵敏度。
来源：详细信息评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共1页<< <1> >>
聚类工具 回到顶部