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声音识别传感器设计与应用
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《传感器与微系统》2014年 第12期33卷 51-53页
作者:李超东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心江苏南京210096 南京邮电大学计算机软件学院江苏南京210046 
对声音识别技术进行了深入研究,提出一种声音识别传感器设计。该传感器首先采集声音信号,经过整形、放大后进行A/D转换,提取语音特征,并利用动态时间规整(DTW)算法进行识别;传感器采用C/S架构和外部设备进行通信,通过串口接收外部设备命...
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芯粒测试技术综述
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《电子与封装》2023年 第11期23卷 1-11页
作者:解维坤 蔡志匡 刘小婷 陈龙 张凯虹 王厚军电子科技大学自动化学院成都610097 中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035 南京邮电大学集成电路科学与工程学院南京210003 无锡中微腾芯电子有限公司江苏无锡214000 
随着半导体工艺的发展,芯片工艺提升愈发困难,摩尔定律日趋放缓,而芯粒集成技术促进了多芯片封装的发展,有效地延续了摩尔定律。以2.5D、3D集成为主的芯粒异构集成芯片的测试方法与传统2D芯片测试有所不同,带来一些新的测试挑战。从当...
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10Gb/s SiGe光接收机限幅放大器
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《半导体技术》2005年 第7期30卷 60-62页
作者:黄海云 徐跃 刘华珠 刘军 孙玲玲杭州电子科技大学微电子CAD研究所杭州310018 南京邮电大学信息学院南京210003 东莞理工学院集成电路设计研究所广东东莞523106 
给出了一个利用IBM 0.5μm SiGe BiCMOS工艺实现的10Gb/s限幅放大器。在标准的3.3V 电源电压,功耗为133.77mW。在31dB的输入动态范围内,可以保持980mVpp恒定输出摆幅。
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基于0.18 μm BiCMOS工艺的2 GS/s采保放大器
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《微电子学》2018年 第4期48卷 471-474,479页
作者:张翼 刘中华 郭宇锋 孟桥 李晓鹏 张有涛射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京210023 毫米波国家重点实验室南京210096 南京邮电大学电子与光学工程学院/微电子学院南京210023 江苏亨鑫科技有限公司博士后工作站江苏宜兴214222 东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京210016 
基于华虹0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种2GS/s超高速采保放大器。分析了二极管桥和开关射极跟随结构的优缺点,采用了开关射极跟随结构。增加了前馈电容,以消除保持模式下的信号馈通。后仿真结果表明,该采保放大器的信噪失真...
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