摘要：从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9～14GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT工艺(fT=60GHz)研制了芯片。在片测试结果为在9～14GHz,噪声系数<2.5dB,最小噪声系数在10.4GHz为2.0dB,功率增益在所需频段9～14GHz大于21dB,输入回波损耗<-10dB,输出回波损耗<-6dB。在11.5GHz,输出1dB压缩点功率为19dBm。

摘要：基于TSMC0．13μm CMOS工艺，对深亚微米硅基上的共面波导特性进行了研究。在分析中引入了保角映射等数值方法，给出了有效介电常数εeff、特征阻抗Z、单位电容C等传输线指标随几何参数变化的计算公式。并设计了特征阻抗分别为50Ω和70Ω的共面波导传输线元件库。采用Short—Open—Load—Thru（SOLT）校准测试技术对片上传输线元件库进行测试。在0．1～40GHz范围内，测试结果与数值分析解吻合。这为在硅基上进行RFIC设计提供了一个合理选取传输线结构的方法。

摘要：给出了一个基于TSMC 0 1 8μmCMOS工艺设计的千兆以太网物理层时钟产生 /倍频单片集成电路 .芯片采用电荷泵结构的锁相环实现 ,包括环形压控振荡器、分频器、鉴频鉴相器、电荷泵和环路滤波器等模块 ,总面积为 1 1mm× 0 8mm .采用 1 8V单电源供电 ,测得在负载为 5 0Ω时电路的输出功率大于 5dBm .芯片在PCB板上键合实现锁相环路的闭环测试 ,测得锁定范围为1 30MHz;当环路锁定在 1GHz时 ,振荡器输出信号的占空比为 5 0 4% ,rms抖动为 5 4ps,单边带相位噪声为 - 1 2 4dBc/Hz @1 0MHz .该电路适当调整可应用于千兆以太网IEEE80 2 3规范1 0 0 0BASE X的物理层发信机设计 .

摘要：基于0.18μm CMOS工艺,研究并设计了一个精度为6比特、采样率为2 Gsps的全并行超高速模数转换器(ADC),发现并解决了门限限速效应(TLSE),进而提高了ADC的电压比较器的工作速度,并利用平均终端法减小了电路非线性失真。采用分段编码方式,使电路规模和速度都得到了优化。通过SMIC实现流片,有效面积为0.48mm^2。实测结果表明,该ADC芯片的最小分辨率为10mV,最高采样率可达2.2Gsps。最高采样率下有效位达到5.6比特,总功耗310mW。

摘要：采用TSMC 0.13μm CMOS工艺设计了一款宽带电感电容压控振荡器(LC-VCO).LC-VCO采用互补型负阻结构,输出信号对称性较好,可以获得更好的相位噪声性能.为达到宽的调谐范围,核心电路采用4 bit可重构的开关电容调谐阵列以降低调谐电路增益,并使用可变电容在每段开关电容子频带上实现调谐.此外,压控振荡器的设计采用了开关电流源、开关交叉耦合对和噪声滤波等技术,以优化电路的相位噪声、功耗、振荡幅度等性能.整个芯片(包括焊盘)面积为1.11 mm×0.98 mm.测试结果表明,在1.2 V电源电压下,UWB和IMT-A频段上压控振荡器所消耗的电流分别为3.0和5.6 mA,压控振荡器的调谐范围为3.86～5.28和3.14～3.88GHz.在振荡频率3.534和4.155 GHz上,1 MHz频偏处,压控振荡器的相位噪声分别为-122和-119 dBc/Hz.

摘要：研究了万兆以太网接收芯片结构 ,并在此基础上设计、流片和测试了高速 1∶4分接芯片 ,采用 0 .1 8μmCMOS工艺设计的1∶4分接电路 ,实现了满足 1 0GBASE R的 1 0 .31 2 5Gbit/s数据的 1∶4串 /并转换 ,芯片面积 1 1 0 0 μm× 80 0 μm ,在输入单端摆幅为 80 0mV ,输出负载 5 0Ω条件下 ,输出2 .5 78Gbit/s数据信号电压峰峰值为 2 2 8mV ,抖动为 4psRMS ,眼图的占空比为 5 5 .9% ,上升沿时间为 5 8ps .在电源为 1 .8V时 ,功耗为 5 0 0mW .电路最高可实现 1 3.5Gbit/s的

摘要：采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了应用于10Gb/s速率级光接收机的前端放大电路。该电路由前置放大器与限幅放大器构成,两者均采用了差分电路形式。前置放大器由共基输入级和带并联负反馈的放大器组成。跨导放大器中的基本放大器采用共集-共发-共基的组合结构扩展带宽。限幅放大器采用两级Cherry-Hooper结构。芯片面积仅为0.47mm^2。测试结果表明,在3.3V的供电电压下,总功耗为158mW。在输入电压信号25mV时,可以得到清晰对称的眼图。

摘要：设计并实现了基于TSMC0.18μm CMOS工艺应用于DVB-T系统的RSSI电路.核心电路采用非平衡源极耦合对结构作为整流器,具有良好的全波整流功能;放大器采用折叠式二极管负载结构,既适合低电源电压工作,又具有良好的工艺和温度稳定性;偏置电路采用自举基准源,具有良好的电源抑制比.芯片测试结果表明:在供电电压为1.8V时,该RSSI的功耗为3.7mW;在输入信号频率为36MHz,功率为-31.5^-11.5dBm的动态范围内,输出的指示直流电压为1.54~0.54V,非线性误差小于±1.2dB,实现了功率指示功能.

摘要：对深亚微米硅基CMOS工艺集成电路中常用的微带线和共面波导2种传输线结构进行了研究．从理论上分析了传输线分布参数和损耗，利用0．13μm CMOS工艺制作了特征阻抗分别为50和70Ω的微带线和共面波导元件库，在0．1—30 GHz频率范围内利用网络分析仪和SOLT测试技术进行测试．利用分布参数电路模型和测试得到的S参数提取出了特征阻抗、衰减常数、品质因数等传输线基本参数．研究结果为设计者选择和设计高性能传输线提供出可借鉴的实用性模型．

摘要：介绍了用于SDH系统STM-64速率光发射机用的激光二极管/光调制器驱动器集成电路的设计。电路采用法国OMMIC公司的0.2μm GaAs PHEMTs工艺设计并制造,可以驱动激光二极管和电吸收式调制器。电路由输入匹配电路、预放大电路、源极跟随器、主放大电路、电容耦合电流放大器和输出电路组成。电路芯片面积1.0mm×0.9mm。测试结果表明,电路采用单一正5V电源供电,直流功耗1.4W,可以在10Gb/s速率下正常工作,眼图良好。最高工作速率高于20Gb/s,输出电压幅度2.8V。