摘要：介绍了TSMC 0.18μm CMOS工艺的功率放大器的设计,给出了仿真结果,版图照片和芯片键合测试方案。该电路采用三级差分放大结构,在其工作频段内满足绝对稳定条件,在3.3 V电源电压下,增益为27.3 dB,输入1 dB压缩点为-7 dBm,最大输出功率为19.3 dBm,输入端反射系数S11=-30 dB,可用于无线局域网802.11a标准的系统中。

摘要：为满足无线传感网射频收发芯片中频率综合器的应用需求,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计并实现了一个4.8 GHz低功耗LC压控振荡器.电路核心采用电流源偏置的互补差分负阻LC振荡器结构以及3 bit开关电容阵列,输出采用共源级缓冲.给出了电路设计,对噪声抑制进行了分析,并在Cadence环境下完成了版图设计,版图面积为700μm×900μm.在电源电压为1.8V条件下进行了后仿真,并采用2组SSGSS及1组三针直流探针完成了流片验证和芯片测试.结果表明:电路的后仿真调谐范围大于25%,能够有效地补偿工艺角偏差;在载波频率为4.8 GHz处,后仿真相位噪声为-126.8 dBc/Hz@3 MHz.实际测试中,电路的调谐范围为24%,在应用要求的3 MHz频偏处,相位噪声达到-121.12 dBc/Hz,核心电路工作电流仅为2 mA.

摘要：设计了一种直接数字输出的DC-10 Mbit/s非均衡码突发信号光接收机,并采用0.5μmCMOS工艺成功实现.该接收机根据突发非均衡码的特点,以峰值检测为基础,采用全直流耦合,设计了新型开关自动增益控制电路和复位控制逻辑电路,实现了灵敏度和动态范围的优化.整个系统具有高响应速度,可消除突发导致的比特丢失.测试结果表明,当速率为10Mbit/s和600bit/s时,该接收机可分别获得优于-30dBm和-36dBm的灵敏度及宽于30dB的动态范围.对于连续"0"信号和无信号状态,该接收机提供可编程时间的报警指示功能.整个接收机采用5V单电源供电,功耗仅为30mW.

摘要：讨论一款基于SiGe BiCMOS工艺工作速率为10Gb/s激光驱动芯片的设计.该激光驱动芯片包括输入缓冲、驱动放大电路和输出级电路3个部分.输入缓冲、驱动放大电路采用电流模电路,满足高速数据传输和放大的能力,输出级电路结构采用新型的MOS-HBT共源共栅结构可以降低米勒效应减小输入电容,从而使激光驱动芯片工作在10Gb/s时也能达到良好的性能.主电路电源电压为3.3V,输出级电路供电电压为5.5V,确保激光器有足够的电压摆幅.芯片总面积(包括焊盘)为600μm×800μm,,测试表明当输入10Gb/s的非归零随机码,输出级电源电压为5.5V时,电路总功耗为660mW,在50Ω负载上可以提供3V的驱动电压(相应的驱动电流为60mA).测试眼图清晰,可以很好地满足SDH STM64/SONNET OC192和10Gb/s以太网的模板要求.

摘要：首先对分布式放大器中L型和T型网络的频率特性进行了研究.分析表明,L型网络比T型网络在设计中具有更好的频率特性.基于稳懋半导体的2-μm GaAs HBT工艺实现了一种L型网络的分布式放大器.测试结果表明,在3～18GHz频率范围内其增益为5.5dB,增益平坦度为±1dB,体现了很好的带宽性能.此外,在设计的频率范围内反射损耗S11,S22均低于-10dB.在5GHz时的1dB压缩点处输出功率为13.3dBm.芯片面积为0.95mm2,在3.5V电源下功耗为95mW.

摘要：采用0．18μm CMOS工艺成功设计并实现了一个10Gbit／s突发模式激光驱动器芯片，该芯片可应用于IEEE802．3av标准所定义的对等速率万兆以太网无源光网络系统。此设计对突发模式调制和偏置电路进行了改进，减少了突发开启／关断的转换时间；片内集成了峰／谷值采样保持电路，降低了激光器自动功率控制的成本和复杂度。测试表明：芯片可工作在10．3125Gbit／s速率上；突发开启／关断转换时间均小于0．5ns，满足802．3av标准中时序参数的规定；在125μs的保持周期内，采样保持电路输出电压跌落小于0．5mV。芯片面积为675μm×875μm。

摘要：将利用分立器件设计的4通道神经信号再生电子系统成功地应用于大鼠和家兔的活体动物实验,再生了它们的神经信号.采用相同的原理,用CSMC0.6μmCMOS工艺设计实现了单通道神经信号再生集成电路.电路由增益可调的神经信号探测电路、缓冲器和神经功能电激励电路构成.电路采用±2.5V双电源电压供电.芯片尺寸为1.42mm×1.34mm.在片测试电路的静态功耗小于10mW,输出电阻为118mΩ,3dB带宽大于30kHz,增益在50～90dB可调.电路芯片与卡肤电极、针状双体电极一起,用于大鼠的神经信号再生的活体动物实验,成功地再生了大鼠的坐骨神经和脊髓神经信号.

摘要：提出了一种12-Gbit/s的低功耗、宽带CMOS具有双反馈结构的前馈共栅差分跨阻放大器,用于甚短距离传输光电集成电路接收机.通过将输入节点的主极点提高到一个较高的频率,增大了放大器带宽.此外,采用2个反馈环路降低输入等效电阻,从而进一步提高了带宽.提出的跨阻放大器采用TSMC0.18μm CMOS工艺制造.整个电路具有较小的芯片面积,其核心面积仅为0.0036 mm^2.在不考虑两级差分的缓冲放大器时,其功耗为14.6 mW.测试结果表明,在1.8V的电源电压下,实现了9GHz的3dB带宽和49.2dBΩ的跨阻增益.测量的平均输入噪声电流功率谱密度为28.1 p A/Hz^(1/2).在相同的工艺条件下,与已发表的文献相比,DNFFCG差分跨组放大器具有最佳的增益带宽积.

摘要：无线接收机小型化及低成本的发展趋势,要求人们解决高集成度及低功率的问题,从而推动了将射频部分与基带电路部分实现单版集成的研究,我们给出了利用0.18μm CMOS工艺设计的5.2GHz低嗓声放大器。在1.8V电压下,工作电流为24mA增益15.8dB噪声系数为1.4dB。

摘要：设计并实现了用于光纤用户网和千兆以太网光接收机的CMOS前置放大器 .电路采用共栅结构取代常用的共源结构 ,大大降低了输入电阻 ,使得光检测器的寄生电容只影响非主极点 ,从而获得宽带 .提出了一种优于电阻反馈的有源反馈 ,可获得比普通共栅结构更宽的带宽 .测试结果表明 ,在输入 80 5 μA的光电流时 ,电路的单端输出电压摆幅大于 64mV(峰 峰值 ) ,均方根抖动在 36ps以下 ,可稳定工作在 1 2 5Gbit/s的速率上 .