摘要：国礼是两国之间的友好馈赠,是国际交往的缩影。无论其大小、价值,均为国有。国礼常附带有国家政治意愿的色彩,但更多时候,国礼传递着一个国家的人文、艺术、民俗等气息,也是研究这一时期赠送国与受赠国两国关系史的重要实物见证。

摘要：在对产品设计知识应用特征分析的基础上,研究了支持设计知识建模的任务结构模型及建议-评估-修改方法,和支持标准型、变型及系列产品设计知识的统一产品设计任务分解结构(用树状与或图表示)。提出了4层结构的产品设计知识模型,实现了多种知识表示方法下复杂产品设计知识的分层与分类表示。为解决设计知识获取问题,设计了产品设计知识获取工作表,对设计知识进行了规范说明和瓶颈分析。最后,建立了路面摊铺机设计知识模型。

摘要：通过使用20个国家级广告产业园区的714家文化企业数据,考察吸收能力调节作用下,文化产业集群知识溢出对文化企业创新能力的影响。主要研究发现:知识溢出影响文化企业不同维度的创新能力,提高文化企业组织管理创新与市场创新;潜在吸收能力与实现吸收能力对文化企业创新能力的影响也存在差异;潜在吸收能力正向调节知识溢出与文化企业市场创新,而实现吸收能力正向调节知识溢出与文化企业产品与服务创新及组织管理创新。为此,文化产业集群应针对企业不同维度的创新能力,有效集成创新服务资源,更高效地发挥创新孵化优势;文化企业应合理分配吸收能力的时间与机会成本,提高吸收能力对知识溢出与创新能力的正向调节作用。

摘要：学院派设计是代表一个国家工业设计领域创意文化发展的标志,其设计的前瞻性,能影响甚至引领设计界的时尚潮流。很多优秀的学院派设计作品,产品的外形设计无疑是前卫的、概念的,但是,并不能完全实现商业化的运作。在产品的材料、结构和预算成本上,其设计的构想还有待进一步提高。

摘要：1939年11月至1940年2月,国立中央博物院组织了贵州民间艺术考察团,由中央博物院专员庞薰琹主持,并借调中央研究院历史语言研究所芮逸夫担任助理,在贵州少数民族地区开展了田野调查及民族民间艺术品的采集工作。考察团调查了贵阳、安顺、龙里、贵定等地的苗族村寨,采集了大量的民族艺术标本,并绘制了民族服饰纹样和民俗风情图。本文拟以档案材料为基础,论述了国立中央博物院贵州民间艺术考察的背景和过程,以期探索在民国民族学史上这段鲜为人知的研究轨迹。

摘要：针对基于实例推理的设计方法实例修改自动化程度较低的情况,对夹具实例自动化修改中的变型设计过程进行了研究。为了适应夹具变型设计,在对夹具元件信息进行完整描述的基础上,提出了基于特征套件的夹具模型描述方法。以此模型为基础,通过对工序件特征的相似性比较和对约束完整性的求解,在几何推理的基础上实现了基于特征的夹具自动化变型设计。该方法可以用于实例自动重用问题,为夹具自动化设计探索了一种新途径。

摘要：通过对Offner分光光学系统分析,给出了快速计算初始结构参数公式,根据算得的初始结构参数优化出一套适用于短波红外(1 000~2 500nm)的分光光学系统,设计的光学系统相对孔径大(F/#2.2)、光谱分辨率高(优于10nm)和入射狭缝长(12mm),在整个波长和视场范围内调制传递函数MTF均大于0.5。完成的成像光谱仪整机体积小,重量轻(小于5kg),仪器测试结果表明,全光谱范围内光谱线性好,光谱标定后波长精度优于4nm,通过对不同波段分辨率测试,全波长范围内光谱分辨率与设计相符,动态成像实验表明,光谱图像清晰并且光谱数据质量佳。

摘要：目的通过开展连续性的医院感染综合监测,了解江苏省某三甲精神专科医院精神障碍住院患者连续10年医院感染情况及变化趋势,为预防和控制医院感染的发生提供科学依据。方法采用回顾性调查研究的方法,对2014年1月-2023年12月联勤保障部队第九〇四医院常州医疗区精神障碍住院患者综合性监测的医院感染率、感染部位分布、病原菌及抗菌药物使用情况等进行统计学分析。结果2014-2023年共调查33105例住院精神障碍患者,发生医院感染784例,感染率在1.78%~4.42%波动;感染发生部位主要为呼吸系统,占79.40%;抗菌药物使用率为14.51%,病原菌送检率为32.36%。结论本医疗区10年精神疾病患者医院感染发生率整体水平较高,需加强精神障碍疾病的感染风险评估与提前干预,降低医院感染的发生率。

摘要：提出了一种基于曲率控制的截面形状生成与过渡技术,可实现进气道任意进口截面形状向出口圆截面的过渡,以此为基础编制了进气道设计程序,能快速且可视地完成各种具有复杂进口截面形状、复杂弯曲形式的进气道设计,并可对进气道通道的各种特征参数进行监控,为下一步复杂变截面进气道的参数化研究奠定了基础.作为初步应用,还完成了多种进口形式的进气道型面设计,并以类X-47狭缝式进气道为例进行了详细介绍.

摘要：讨论了针对GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的异质层结构参数的设计优化方法,详细给出了有关的设计步骤与公式。在数值分析与比较的基础上,并综合考虑材料生长与器件工艺的简便性,得到一组优化的MHEMT异质层结构设计参数。模拟所得的器件DC与RF特性充分显示其在功率与低噪声应用上的巨大潜力。验证性的1μm×200μmMHEMT取得的fT=30GHz、fmax=170GHz的结果佐证了理论分析的正确性。