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检索条件"机构=南开大学信息学院光电子器件与技术研究所"
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金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究
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《物理学报》2005年 第7期54卷 3363-3369页
作者：孟志国 吴春亚 李娟 熊绍珍 郭海成 王文南开大学信息学院光电子器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 香港科技大学电机电子工程系 
提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT_MIUCpoly_SiTFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件.在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM...
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