摘要：通过分析太阳电池串联电阻r_s的组成,研究受光面平行栅状电极线宽W_L、间距W_s对电池填充因子FF及短路电流I_(sc)的影响。结果表明:相同电极线宽及厚度下,减小电极间距可提高填充因子,但同时会降低短路电流,因此需设计合理的电极间距,使填充因子与短路电流乘积最大;在相同电极厚度及电极遮光面积的前提下,减小电极线宽,可大幅缩小电极间距,从而在保证相同电极遮光面积(即相同短路电流)的前提下大幅提高填充因子。实验研究的聚光型GaInP/GaInAs/Ge多结电池在1000倍聚光条件下,电池填充因子为88.1%,光电转换效率为39.58%。

摘要：金属Ag的反射率和迁移对GaN-LED倒装芯片的性能有重要的影响,为了提升芯片制程中的漏电良率,优化芯片结构中容易发生金属Ag迁移的结构,该研究设计了不同金属保护层结构,通过对比结构形貌、芯片漏电良率、芯片亮度和封装亮度,发现双层夹层的金属保护层结构更稳定,致密性更佳,可以有效阻挡金属Ag的迁移,减少PN结的导电通道,降低漏电的风险。将不同金属保护层结构分别应用到3 000μm×3 000μm的GaN发光二极管倒装工艺中,双层夹层的金属保护层漏电良率提升2.6%,同时因形成了全方向反射镜,增加了光萃取率,亮度提升4.5%,器件的过载能力比较强。

摘要：基于多层膜的光学计算基本原理,模拟分析多结化合物太阳电池减反射膜的反射谱。模拟结果准确的反应了实际测量结果。以此为基础设计优化Ti O_x/Al_2O_3/MgF_2三层减反射膜,在GaInP/In_(0.01)GaAs/Ge三结太阳电池上实现了减反射膜对子电池响应电流的精确调节,并得到了子电池电流匹配的GaInP/In_(0.01)GaAs/Ge太阳电池,短路电流密度相比制备减反射膜前提升35.84%。