摘要：本文介绍一款用于光通信前端收发模块的单芯片Ic，集成了2．5G限幅放大器、突发模式激光驱动器、IIC接口、数字诊断功能模块等。这款芯片主要针对GPON／GEPONONU端光收发模块设计，也可用于2．5Gbps及以下速率的连续模式光收发模块。

摘要：本文描述了一种带信号丢失检测告警功能的CMOS工艺限幅放大器,用0.5μm标准CMOS工艺设计制造。采用5V电压供电,电压增益60dB,带宽250MHz。输入为PECL逻辑,误码率为10-12下测得灵敏度为差分2mVpp,饱和输入达差分2000mVpp。采用CML输出逻辑,差分100欧负载时,输出差分限幅幅度可达1400mVpp,可应用于155Mbps的光纤通讯收发模块前端。

摘要：基于90 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种高速(4×112 Gbit/s)四阶脉冲幅度调制跨阻放大器电路。为了兼顾高带宽和低噪声,采用了并联反馈架构的输入级电路。提出一种新颖的基于双吉尔伯特单元的可变增益放大器结构来适应宽动态范围的输入电流。电路利用射级退化技术来提高带宽和改善线性度。芯片测试结果表明,光接收前端链路可以实现最大74 dBΩ的跨阻增益,带宽为32 GHz,输入参考噪声电流密度为5.6 pA·Hz^(-1/2),高至3 mA的输入电流峰峰值下总谐波失真小于5%。跨阻放大器芯片进一步集成至400G QSFP-DD模块,测试结果表明,模块性能满足400G以太网FR4标准的灵敏度和传纤距离要求。

摘要：【目的】针对400 Gbit/s双偏振(DP)-16正交幅度调制(QAM)相干光接收机应用的核心线性跨阻放大器(TIA)实现问题。【方法】文章基于先进锗硅异质结双极型互补氧化物半导体(SiGe BiCMOS HBT)工艺实现了一种64 GBaud双通道差分线性TIA。芯片核心由两路完全相同的信号放大通道组成,以输入放大相干接收的I和Q分量。信号放大通道电路采用全差分电压并联负反馈结构作为核心TIA,采用两级差分可变增益放大器(VGA)级联结构实现进一步信号放大,单端输出阻抗50Ω的电流模逻辑(CML)缓冲器作为输出级。在输入两端,分别引入了独立的直流恢复(DCR)环路以消除输入信号直流分量及差分输出直流失调,并引入了全差分直流失调消除(DCOC)以消除工艺失配产生的输出直流失调,提高电路线性度。为了提高输入动态线性范围,引入了自动增益控制(AGC)电路以自动根据输入信号强度调节TIA跨阻及VGA增益,避免信号饱和失真;为了优化输出阻抗匹配,减小静电放电(ESD)二极管寄生电容影响,输出级采用了三端口桥式-T网络(T-Coil)电感峰化负载结构,以改善输出回损,提高带宽。芯片采用先进SiGe BiCMOS HBT工艺设计制造,裸片尺寸为1.6 mm×1.8 mm,通道间距为625μm。芯片搭配结电容C_(pd)=50 fF的光电二极管(PD)及相干接收光路元器件封装成集成相干接收机(ICR)组件进行测试。【结果】封测结果表明,该芯片小信号跨阻增益为差分5 kΩ,3 dB带宽为32 GHz,总谐波(THD)小于2%,饱和输入功率达到3 dBm,整个芯片由3.3 V单电源供电,静态功耗仅为250 mW。【结论】芯片可用于64 GBaud的相干接收应用,配合DP-16QAM调制,可实现单波400 Gbit/s传输应用。

摘要：本文介绍一种兼容SFF-8472协议的智能SFP光模块的设计方案,提出了一种通用的光模块数字诊断监测(DDM)的设计思路,适用于不同型号MCU的DDM系统。使用MCU的FLASH存储A2H地址的内容,采用内外部校准相结合的新校准方式,更灵活,更简便。通过实际测试,该方案的精度满足协议的要求。