摘要：本文将介绍一个利用0.35微米SiGe BiCMOS制造工艺所设计出来的多频带低噪声放大器。这个多频带低噪声放大器可操作的频段包括2.4、4.9、5.2及5.7GHz,主要可应用在无线局域网络射频芯片。最后测量出来的结果显示,当第一级晶体管的集极电流偏压在3.8mA时,从2.4GHz到2.5GHz,S11皆小于-27.6dB,而当第一级晶体管的集极电流偏压在比较小的3mA时,从5.1GHz到5.4GHz皆小于-27dB。从5.1GHz到5.4GHz S11则小于-34dB,且从5.7到5.9GHz都小于-21dB。从实验结果我们可清楚地看出,这个低噪声放大器靠着电流大小的改变,就可以让共振频率从某一个频率跳到另一个频率,达到多频带操作的功能。

摘要：当今主流半导体有些技术上的限制,系统单芯片的设计并不适用于所有的系统,为了要达到高度集成的目的,同时保持系统应有的效能及可接受的成本,System-on-Package(SOP)被提出来,成为系统单芯片之外的另一种选择。本文将简介SOP的背景、技术,且分析SOP与其它集成技术的异同,及其发展概况。