摘要：HADS产品通常使用有机膜材料来减小寄生电容,以实现高像素密度(PPI)显示。本文对如何改善以顶层ITO为像素电极(Pixel Top)设计的有机膜产品的公共电极ITO与数据线间短路(DCS)不良进行了工艺优化研究。首先,通过显微镜、聚焦离子束对HADS有机膜产品DCS不良发生机理进行了分析,进而提出了第一钝化绝缘层刻蚀工序省略、保留第一钝化绝缘层至公共电极与像素电极间第二钝化绝缘层刻蚀时进行“一步刻蚀”的工艺流程变更改善方案。针对新工艺流程验证中TFT栅极过孔处第一钝化绝缘层出现的底切不良,通过调整等离子增强化学气相沉积成膜参数改善第一钝化绝缘层膜质,并选取最优成膜条件进一步调整干法刻蚀参数改善刻蚀形貌,获得了优良的栅极过孔刻蚀坡度角。优化后的“一步刻蚀”工艺进行的TFT基板,其栅极过孔第一钝化绝缘层坡度角小于40°,与栅极绝缘层间无明显刻蚀台阶。量产验证有机膜缺失导致的DCS发生率降为0。通过优化工艺,在降低产品不良率的同时还减少了工艺步骤,提升了产能。

摘要：黑画面的漏光是高级超维场开关显示模式(Advanced-Super Dimensional Switching,ADS)TFT-LCD中常见的一种不良,当液晶面板有形变或应力作用即容易发生漏光不良,窄长型ADS车载产品更容易受力形变。本文探讨漏光发生的机理并进行改善。研究发现,面板由于形变,内应力,液晶偏转发生异常,最终导致黑画面的漏光。本文以312.4mm(12.3in)寸窄长型车载ADS产品为例,首先对平坦度进行分析:从面板平坦度、背光源平坦度、背光源口子胶位置等方面分析。再从应力着手:从模组将集成电路压接在玻璃基板上的工艺(Chip on Glass,COG)、面板和背光源的组装精度进行漏光实验。实验结果表明,在面板平坦度提升、背光源平坦度管控、背光源口子胶设计为半口子胶并由长边固定变更为短边固定,COG绑定温度和压力进行实验设计、组装精度提升等方面改善后,黑画面漏光可从15%降低至0.1%以内。

摘要：本文对摩擦工艺过程中的线不良进行了分析,通过切割验证、设计方案变更验证了降低ESD风险的两个方向。通过实际的验证结果分析发现,减小填充图形的面积或者将填充图形连接到公共电极,同时搭配填充图形到信号线的距离增加到大于60μm,可以大大降低静电放电发生的概率,不良率由20%降低到0%。结果充分表明,此设计方案可应用于实际产品设计中以降低摩擦工艺过程中的ESD风险。

摘要：OGS(One Glass solution)触控显示模组(Touch Panel LCD Module,TLCM)在关机状态下存在边缘黑色光阻(Black Matrix,BM)与可视区色差过大的问题,外观不美观。本文基于此问题,对TLCM的膜层结构进行研究,分析出影响产品色偏的主要因素。首先,利用光学模拟软件模拟不同叠层和膜层厚度的OGS色偏情况。接着,根据模拟结果找出影响单体OGS色偏的主要叠层。然后,参考模拟结果设计几十种不同膜层参数进行实验验证,并结合设备测试和人眼判级找出最佳一体黑效果。结果表明:在特定叠层结构中,消影层(Index Match Film,IM)对一体黑效果影响最大,其中有双消影层的样品可视区与BM区色差值约1NBS,单IM层的产品色差在3.7NBS以上。

摘要：在TFT-LCD工艺制作过程中,平板电脑产品一直存在暗态画面不均问题,对产品良率的影响较大,本文主要从产品设计、工艺参数调整、制程控制等方面进行研究,分析产品暗态均匀性的影响因素。研究表明,产品暗态均匀性主要受到暗态画面亮度和液晶显示器模组平坦度两个方面影响,暗态画面亮度越低,暗态均匀程度越好;液晶显示器模组平坦度平坦度越好,暗态均匀程度越好。结合实际生产,通过这两个方面的改善,探讨出一套暗态均匀性的管控改善方案,有效地管控了暗态均匀性的程度。

摘要：针对薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)边缘亮度偏低、出现暗带的不良现象,对不良机理及影响因子进行研究,并总结较优工艺条件。实验结果表明从液晶面板设计角度,均匀的边缘盒厚有助于提升边缘亮度均一性,故适中的液晶量、硅球尺寸、硅球掺杂比及较硬的封框胶其性能更优,同时贴附偏光片后的液晶面板越平坦其暗带程度越轻;从背光源角度,模组成品的边缘暗带不良与背光源批次存在强相关性,但主要受背光源的平坦度等尺寸参数影响而非背光源自身的暗带程度。此外,老化工艺释放了背光源与液晶屏组装时产生的内应力,缓和边缘位置的形变,适当延长老化时间有利于降低边缘暗带不良发生率。通过以上较优条件的导入,成功改善了TFT-LCD显示器边缘暗带不良,有效地提升了产品竞争力。

摘要：为改善无边框液晶模组L0漏光,本文通过对影响面板透过率的液晶材料、PI原材、ODF工艺、PI涂布及其摩擦工艺等诸多因素研究,筛选出预固化温度&时间、PI膜厚、TFT&CT面摩擦强度、TFT&CT摩擦布共7个影响因子;选择面板翘曲度为噪声因子,通过量测不同程度L0漏光对应的面板翘曲,并对L0漏光程度与翘曲进行二次拟合,以此分别选取翘曲为1.8~2.1μm及6.4~8.0μm的面板作为噪声因子高低水平.按L8设计田口实验,采用Jump14运行试验结果,结果显示,预固化温度设置为140℃,预固化时间设置为130s,PI膜厚设置为75nm,TFT面摩擦强度设置为14mm,CF面摩擦强度设置为15.5mm,其他参数维持量产条件,S/N可得到最大值-2.63.该条件下实际平均漏光水平从参数调整前的2.25下降到调整后的1.04.特别地,在漏光高发的翘曲区域,即6.4~8.0μm时,L0漏光均值从3.07下降到1.7,预测漏光程度大于level3的不良率从6.2%下降到0.2%.

摘要：本文采取4因子4水平田口设计,用等离子体增强化学气相沉积法制备了沉积在白玻璃上的单层N+A-SI:H薄膜,测试了薄膜的应力,膜厚,折射率,透过率,及SI-H/N-H键含量,综合评价不同参数配比条件下N+A-SI:H单层膜的膜质表现,针对比较重要的参数:沉积速率,Thickness Uniformity,SI-H键含量进行了田口分析,两阶段策略优化选出PECVD制程中的N+A-SI layer的最佳参数配比为:Pressure-385.7 Pa,Spacing-20.32 mm,RF Power-13000W,Gas Ratio-3.12。

摘要：影像残留是TFT-LCD,特别是TN型产品常见的不良,对产品良率影响很大。本文从产品设计、工艺参数、工艺管控3个方面对残影进行分析。发现产品设计时Data线两侧段差过大,是导致残影发生的主要原因,通过增加配向膜厚度和摩擦强度值可以有效降低残影,实验得出配向膜膜厚高于110nm,摩擦强度高于5.5N·m时无残影发生。通过控制配向膜工程与摩擦工程间的延迟时间在5h,摩擦工程与对盒工程间的延迟时间在10h,并且严格管控ITO偏移量可以有效减少Panel内部电场,从而降低残影。通过以上措施,对于15.6HD产品,良率提升了10%,为企业高效生产奠定基础。

摘要：本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升I_(on)7%、降低SS 3%、同时对I_(off)以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果。顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性。