摘要：上海光源 3 5GeV电子储存环超高真空室采用铝合金材料 ,经数控加工后焊接而成 ,其结构复杂 ,精度要求高。在预制研究中成功地完成了一段 6m长典型真空室的设计、制造与调试。该真空室的平面度达到 0 2 3mm ,横向偏移量 1 4mm ,内表面单位面积出气率 4 1× 10 -10 Pa·m/s。在研制中暴露出结构设计和加工工艺等方面的多种问题 ,并找到了妥善解决的方法 ,为工程批量生产准备了条件。

摘要：在高速测量设备无关量子密钥分发(MDI-QKD)系统中,高成码率是实现远距离量子通信的关键。为实现更高的成码率,系统各环节对光源有着更多的要求。针对这些要求设计了应用于高速MDI-QKD系统的脉冲激光器电路。通过对外部或内部触发信号的模拟调理及驱动设计,实现了脉冲激光的产生;通过模拟PID控制与双向TEC电流控制,实现了温度的稳定。最终获得的脉冲光能够实现最高1.25 GHz重复频率、24.2 ps脉冲半高宽、30 dB消光比、0.95 pm波长抖动以及2.014 nm波长调谐范围的输出,有利于成码率的提高,满足高速MDI-QKD系统的要求。

摘要：在公共照明场合中常规照明系统被广泛的应用。由于其固有的缺陷使得在这些场合长明灯现象普遍存在,浪费了大量的电能。文章结合常规的照明系统控制及实际照明现场情况,设计和实施了开关灯照度分别独立可调的照明节能装置。经过实际应用,此装置取得了良好的节能效果。

摘要：粒子加速器中,带电粒子与真空室内壁碰撞产生的二次电子是影响束流品质的重要原因之一,特别在正电子和质子加速器中,真空室内壁在粒子轰击下产生大量二次电子,这些二次电子聚集形成电子云,对束流的稳定性、能量、发射度、寿命等均造成不利影响。因此,研究加速器真空室常用金属材料的二次电子发射（SEE）特性很有必要。本文设计了一台高精度材料二次电子产额（SEY）测量装置,采用能量范围为50~5000e V的低能电子枪,可用于测量材料的二次电子产额。通过测试,获得了不锈钢和无氧铜的SEE特性曲线,不锈钢与无氧铜的最大二次电子产额分别为2.5和1.82,与国际上采用相同测试方法的测试结果基本一致。

摘要：综述了近五年来为神光装置研制大口径熔石英采样光栅所取得的主要进展。提出了大尺寸采样光栅的化学机械抛光技术,将全息光刻-离子束刻蚀的430mm口径采样光栅的采样效率均匀性控制在均方根值低于5%,满足了采样光栅的设计要求。针对采样光栅的阈值特性,利用二次离子质谱技术,定量表征了采样光栅制备过程中引入的污染及其清洗效果,优化、发展了采样光栅的清洗方法。探索了基于氢氟酸和感应耦合等离子体刻蚀的熔石英基底处理技术,结合干湿法处理技术来去除熔石英光栅基底的亚表面损伤。为进一步提升采样光栅抗激光辐射损伤特性,提出将发展大尺寸熔石英采样光栅的氢氟酸处理方法及具有亚波长减反光栅结构的采样光栅的制备方法。

摘要：对一座设计装源能力为2.96×1016Bq(80万Ci)的双板源钴源辐照装置进行了改造。本文阐述了改造的具体内容和特点,并通过改造前后的性能对比,对改造进行了利益代价分析。通过此次改造,辐照装置的产量提高了50%以上,给用户带来了可观的直接经济效益和长远的间接经济效益,表明本次改造是成功的,也具有一定的示范作用和推广价值。

摘要：对NFZ10工业辐照电子直线加速器的恒温部件之一——隔水条的结构设计进行了探讨,确定了一套满足整机性能要求,且使之与水套安装方便、可靠的合理结构。

摘要：电子加速器的屏蔽设计主要通过经验公式、蒙特卡罗模拟以及工程实践经验等方法确定。不同经验公式计算结果存在差异,经验公式与蒙特卡罗模拟的结果也存在差异,这将影响屏蔽设计的准确性,需要明确差异的来源并对两种方法进行补充修正。本文以合肥先进光源(Hefei Advanced Light Facility,HALF)锯齿墙屏蔽为研究对象,说明了不同方法得出的结果有较大差异,通过进一步计算不同能量的电子作用于不同靶产生的剂量分布,分析不同方法计算结果差异的来源并更新了蒙特卡罗模型。利用更新的模型重新计算电子储存环的辐射剂量,并给出了与经验公式计算相近的结果。研究表明,经验公式比蒙特卡罗方法更保守;结果差异主要来源于轫致辐射;可以针对不同的需要使用不同的经验公式。

摘要：一般来说,托卡马克(EAST)装置中的NBI加热系统都是利用Snubber来实现保护的。为了优化Snubber的结构,通常都给其添加一个偏置直流源,将Snubber的性能维持在BH曲线的负饱和点附近,这样能使Snubber的质量减小一半。而目前普遍使用的偏置直流源是将50/60 Hz的交流电经过高压隔离变压器变压后整流直接得到。50/60 Hz的高压隔离变压器体积大、质量重,将带来移动不便和占用大量空间等缺点,如将50/60 Hz变为高频后经高频高压隔离变压器处理,这一问题就能得到解决。基于高频高压技术进行了EAST Snubber高压隔离偏置电源的设计与实验研究。

摘要：提出了1种使用分裂型弯铁(split-bend)实现的储存环超周期混合型多弯铁消色散(hybrid multi-bend achromat,HMBA)磁聚焦结构(lattice),该结构具有高低β函数值的2种直线节。直线节处较低的β函数值可以提高插入件的辐射亮度,降低插入件对光学函数的影响,而较高的β函数值则可以增大动力学孔径,有利于束流注入。该HMBA lattice使用分裂型弯铁与四极磁铁doublet结构结合形成类triplet结构,在实现高低β函数值直线节的同时,还降低了束流发射度。根据HMBA lattice结构设计了1台能量为3 GeV的衍射极限储存环光源,其自然发射度为101 pm·rad,高β函数值直线节中点处的6D水平动力学孔径约为-8~9 mm,低β函数值直线节中点处的水平与垂直β函数值均小于3.1 m。