摘要：利用可编程逻辑器件技术和DDS合成技术,重点设计和改进了弹体药室容积检测装置的音频激励和信号处理两个部分。该系统与改进前的系统相比具有精度高、灵活性强、而成本又没有显著增加等优点,从在线检测方面来讲也更加适用于在线大批量生产的检测工作,能简便快捷地实现弹体药室容积的精确检测。

摘要：国际标准ISO 3 471 :1 994对工程车辆翻车保护装置 (Roll-OverProtectiveStructures,简称ROPS)的一项重要性能要求是ROPS应具有足够的能量吸收能力 ,而ROPS能量吸收的计算属于结构非线性分析。根据塑性铰的概念和特性 ,提出了计算ROPS侧向加载中心弹塑性位移并由此计算其能量吸收的一般方法 ,并用实例证明了其正确性。该方法将复杂的非线性问题转化为简单的线性问题 ,使设计者在设计阶段就可对ROPS的能量吸收性能进行有效的预测 ,并可推广到一般等截面构件组成的刚架系统的弹塑性变形和能量吸收的计算。

摘要：a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si∶HTFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m2。

摘要：研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化。提出的新模型考虑了前界面态、后界面态、局域态、材料及制作工艺等因素,体现了该区域电流对漏源电压VDS强烈的依赖关系。使用新模型对实验数据的拟合结果优于以往的模型,能够比较精确地模拟亚阈值区的特性,可用来预测a-Si∶HTFT的性能,对TFT阵列的模拟设计具有重要价值。