摘要：具有磷灰石结构的化合物很适于用作发光离子的基质,其中Sb3+,Mn2+共激活的脑磷酸钙早在1942年就在荧光灯上获得应用。Mg2RE8（SiO4）6O2（RE=Y,La,Gd）是一类具有氧磷灰石结构的三元稀土硅酸盐(六方晶系,空间群为P63/m)。在这类结构的化合物中存在两种阳离子格位,即9配位的4f格位（C3）和7配位的6h格位（Cs）。本工作采用新发展起来的Sol-Gel工艺制备了Mg2RE8-x-y（SiO4）6O2:Eux3+,Biy3+（x,y≥0）系列发光体,考察了RE3+半径对Eu3+,Bi3+发光性能的影响,并对Eu3+在基质中的取代格位进行了研究,得到了一些对发光材料设计有意义的结果。

摘要：介绍了在新材料特别是复合材料开发中,应该严格依靠科学理论、配合高效率计算机工具,把材料宏观的物理力学性能与细观微观结构结合起来,把材料结构及性能的变化与材料形成条件结合起来,使之定量化,从而对材料进行定量化设计和性能预测。

摘要：从结构材料的“材料选择与材料设计”的三原则出发,并从材料化学成分、组织形态和缺陷结构三方面综合考虑,进行了合金钢成分设计。同时,阐述了用28SiMnB钢代替60Si2-MnB钢制造板簧的理由及可行性。

摘要：根据余瑞璜提出的“固体分子的经验电子理论”,在徐万东和余瑞璜处理过渡金属化合物晶体结合能及熔点理论基础上 ,研究 Ti B2 等高性能材料电子结构 .发现 IVB,VB族元素的硼化物熔点都比相应的单质有较大提高 ,原因是组成元素的杂阶升高 ,单键半距随杂阶升高而逐渐下降 .其杂阶组合与结合能及熔点的密切联系 ,表明用经验电子理论进行电子结构分析可为材料设计提供有力的理论指导 .

摘要：用分子动力学方法对金属界面在弯曲状态下的力学行为做了模拟计算．在自行设计的两种弯曲模型中，首先比较了Ａｇ／Ｎｉ在不形成界面、形成界面（错配比约为１５％）以及Ｃｕ／Ｎｉ形成界面（错配比约为３％）时在动态弯曲过程中的势能－应变曲线，应力－应变曲线，模量－应变曲线，通过比较得出的结论是：界面的存在影响很大，失配位错影响界面的性质，并且错配比不同界面的力学性质亦不相同．同时，对计算元胞的尺寸效应做了详细的讨论，给出了用于计算机模拟中比较适宜的计算元胞的尺寸．最后，利用圆弧弯曲模型将静态平移周期性边界条件应用于动态弯曲过程中，克服了三点弯曲模型中硬边界条件的不足之处，在弹性区内得出的结论与虎克定律符合得很好．模拟计算工作所用的原子间势函数为Ｌｅｎｎａｒｄ－Ｊｏｎｅｓ势．