摘要：用量子理论新方法研究一维镜像光子晶体,将光的量子波动方程应用到一维光子晶体中,推导出量子传输矩阵,量子透射率和量子反射率公式。进一步研究缺陷层数目以及吸收介质和激活介质对一维光子晶体量子透射特性的影响,从而可以设计出光学滤波器、放大器和衰减器。当加缺陷层时,缺陷模出现尖锐峰,当缺陷层数目增加时,缺陷模个数增加,可设计为多通道光学滤波器。在缺陷层中加入吸收介质时,缺陷模强度减弱。在缺陷层中加入激活介质时,缺陷模强度增强,可设计为光学放大器和衰减器。

摘要：通过平衡载流子传输能够实现白色有机电致发光器件的高显色指数、发光光谱稳定.采用红、绿色TADF材料与蓝色荧光材料作为发光染料,通过单一双极性主体、无间隔层的结构设计方式平衡载流子在发光层中的分布,制备了光谱稳定发射、高显色指数和低效率滚降的全荧光白色有机电致发光器件.三基色全荧光器件最大外量子效率9.5%,白色电致发光光谱稳定,在500~10000 cd/m^(2)范围色坐标从(0.37,0.40)变为(0.35,0.39),显色指数一直维持在81.这为实现色稳定、高效率的白色有机电致发光器件提供了一种有效的途径.

摘要：设计合理的发光层主客体掺杂结构是获得高效率磷光白色有机发光器件(WOLEDs)的必要条件。将橙色磷光染料PO-01和蓝色磷光染料FIrPic分别掺入空穴传输材料mCP和电子传输材料TmPyPB中,制备了低效率滚降、发光颜色稳定的双发光层结构暖白光器件。通过器件结构的优化设计,促进了载流子注入平衡,使激子分布在较宽区域,呈现较低的发光效率滚降。器件的最大电流效率为17.8cd/A,当发光亮度为1000cd/m^(2)时,电流效率滚降仅为5.6%。当发光亮度从22.4cd/m^(2)增至7293cd/m^(2),相应的发光色坐标从(0.406,0.464)变化至(0.405,0.458),变化量ΔCIE仅为(0.005,0.004)。

摘要：采用直流磁控溅射方法,保持氩气流量不变,控制氮气的体积分数为10%,12.5%,15%,分别用Si(100)单晶和SrTiO_3(100)单晶基片制备Fe-N薄膜.用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)等方法对两种不同基片生长Fe-N薄膜的结构及磁学性能进行表征.结果表明:在SrTiO_3(100)单晶基片上得到了单相γ′-Fe_4N薄膜,与Si(100)基片上的样品相比,SrTiO_3(100)更有利于诱导γ′-Fe_4N薄膜的取向性生长;当氮气的体积分数约为12.5%时,制备单相γ′-Fe_4N薄膜的晶粒结晶度较好,且饱和磁化强度较高,矫顽力比Si(100)为基片获得的Fe-N薄膜样品低,软磁性能较好.

摘要：本文采取了一种生长高质量CH_3NH_3PbI_3层的方法,设计并构建了Au/SiO_2/CH_3NH_3PbI_3/ZnO/In结构的器件。在正向电压下,载流子在SiO_2中碰撞离化并发生倍增,倍增产生的空穴注入到CH_3NH_3PbI_3层中与从ZnO层中注入的电子发生辐射复合,观察到明显的发光光谱,证实了这种通过载流子倍增方式实现发光的可行性,提供了一种无需有机载流子注入层即可实现发光的有效方式。

摘要：采用红色TADF染料4CzTPN-Ph与蓝色磷光染料Firpic作为发光染料,同时掺入高三线态双极性主体26DCzPPy中,制备了低效率滚降、结构简单的暖白色有机电致发光器件.器件最大电流效率为12. 5 cd/A,最大发光亮度为10 000 cd/m2,最大外量子效率为5. 6%.当发光亮度达到1 000 cd/m2时,器件的外量子效率滚降约10%.当发光亮度增至5 000 cd/m2时,外量子效率滚降仅约17%.低效率滚降主要源于发光层中量子阱结构的设计,将电子有效限制在发光层中,使激子复合区域进一步扩宽,降低了发光层中的激子浓度.

摘要：采用蓝色热活化延迟荧光(TADF)染料4,5-bis(carbazol-9-yl)-1,2-dicyanobenzene(2CzPN)为客体,掺入高三线态主体1,3-bis(9H-carbazol-9-yl) benzene(m CP)中,应用双载流子注入层,制备了蓝色有机电致发光器件。器件的最大亮度为3907 cd/cm2,最大功率效率为3.2 lm/W,最大外量子效率(EQE)为2.5%。双载流子注入层器件结构的设计,增加了载流子注入率,提高了发光区的激子复合,改善了蓝色发光器件的光电性能。