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氯硅烷吸收HCl工艺的模拟: 收藏
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引用; 《四川化工》2021年第2期24卷 4-6页; 作者：李寿琴杨楠鲜洪梁勇张铁锋四川永祥股份有限公司四川乐山614800 四川永祥多晶硅有限公司四川乐山614800 山东鲁新设计工程有限公司山东淄博255000; 采用ASPEN plus软件对改良西门子法制备多晶硅工艺中的HCl吸收过程进行了模拟。提高压力至11bar以上,降低温度至-40℃以下,有利于H 2纯度提升至85%(w)以上。同时分析了压力、吸收剂量和温度,以及吸收剂组成等对吸收效果的影响。在不同...; 采用ASPEN plus软件对改良西门子法制备多晶硅工艺中的HCl吸收过程进行了模拟。提高压力至11bar以上,降低温度至-40℃以下,有利于H 2纯度提升至85%(w)以上。同时分析了压力、吸收剂量和温度,以及吸收剂组成等对吸收效果的影响。在不同温度和压力下,分别计算了HCl在SiHCl_(3)和SiCl_(4)中的溶解度。虽然HCl在SiHCl_(3)中比SiCl_(4)中的溶解度高,但由于SiHCl_(3)挥发度比SiCl_(4)小,所以随着吸收剂中SiHCl_(3)增多,吸收后的H 2纯度反而会降低。; 来源：详细信息评论

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