摘要：为了实现带隙基准电压源(BGR)的低温度系数(T_(C))和高电源抑制比性能,提出一种自适应折叠共源共栅反馈结构误差放大器。利用非对称自适应共源共栅(ASC)对管增强放大器增益,能够有效降低T_(C)。同时,由二极管连接的MOSFET形成内部电流反馈回路,与Ⅱ型补偿器共同作用,提升了BGR的电源抑制比。电路基于CSMC 0.18μm工艺进行设计,结果表明,在电源电压3.9~5.5 V,温度范围-45~150℃内,基准稳定输出1.183 V电压。4.7 V电源电压下,电源抑制比为-72.4 dB@10 kHz,T_(C)为5.14×10^(-6)/℃,其中线性灵敏度(LR)低于0.041%/V。

摘要：针对传统全差分运算放大器电路存在输入输出摆幅小和共模抑制比低的问题,提出了一种高共模抑制比轨到轨全差分运算放大器电路。电路的输入级采用基于电流补偿技术的互补差分输入对,实现较大的输入信号摆幅;中间级采用折叠式共源共栅结构,获得较大的增益和输出摆幅;输出级采用共模反馈环路控制的A类输出结构,同时对共模反馈环路进行密勒补偿,提高电路的共模抑制比和环路稳定性。提出的全差分运算放大器电路基于中芯国际(SMIC)0.13μm CMOS工艺设计,结果表明,该电路在3.3 V供电电压下,负载电容为5 pF时,可实现轨到轨的输入输出信号摆幅;当输入共模电平为1.65 V时,直流增益为108.9 dB,相位裕度为77.5°,单位增益带宽为12.71 MHz;共模反馈环路增益为97.7 dB,相位裕度为71.3°;共模抑制比为237.7 dB,电源抑制比为209.6 dB,等效输入参考噪声为37.9 nV/Hz^(1/2)@100 kHz。

摘要：本文提出了一种双模式调制技术,以提高宽负载范围内降压型DC-DC转换器的转换效率。采用自适应导通时间电路(AOT)和斜坡信号VRAMP产生电路来维持转换器连续导通时间(CCM)工作模式下开关频率基本稳定;利用过零检测电路来检测电感电流,当电感电流过零时,能及时关断续流管,降低开关损耗,进一步提升轻载转换效率。该DC-DC基于SMIC 0.18 um BCD工艺进行电路仿真验证,该电路可在0~3A宽负载范围内正常工作,在输入电压3~5V范围内,PFM模式下输出电压纹波小于5.2mV,1m A负载下转换效率为87.37%。在PWM模式下输出电压纹波小于2.8mV,3A负载下最低转换效率为84.24%。峰值效率可达94.91%,全负载范围内转换效率大于84%。

摘要：提出了一种高电源抑制比(PSRR)超低噪声无片外电容低压差线性稳压器(CL-LDO)。采用自偏置折叠共源共栅结构的自适应误差放大器降低系统噪声;利用过温保护电阻和电流增强电阻的基准电压源结构,使电压基准源在高工作电压下具有较高PSRR;同时在电流源正温度系数支路引入一对温度系数相反的电阻,简化电流源零温度系数调节过程。该CL-LDO基于CSMC 0.18μm BCD工艺进行电路验证,该电路在输出电容为1 pF,电源电压为4.9 V~5.2 V,负载电流为200μA至90 mA条件下,可稳定提供3.3 V电压输出,电源抑制比为-44 dB@10 kHz,等效输入噪声仅为17nV/√Hz@100kHz。电源电压5 V时具有12.1μV/mA的负载调整率和4.8 mV/V的线性调整率。阶跃负载电流上升/下降时间为1μs的情况下,该CL-LDO恢复时间小于2.2μs。