摘要：本文介绍了一种ＥＣＬ高速可编程分频器的逻辑设计、电路设计、温度补偿设计、版图设计及研制结果。采用４μｍｐｎ结双埋层对通隔离ＥＣＬ工艺技术制作的可编程分频器，其最高工作频率达１００ＭＨｚ以上，工作温度范围为－５５～＋１２５℃，分频模数在１～６４之间任意自然数连续可变。

摘要：本文介绍了一种硅双模预置分频器（÷４０／４２）的电路原理、电路设计、版图设计、工艺技术及研制结果。采用３μｍ设计规则的硅双极型ｐｎ结对通隔离工艺、薄层外延和泡发射极等ＥＣＬ高速电路制作技术，双模预置分频器最高工作频率在－５５℃～＋１２５℃环境温度范围内达１３００ＭＨｚ以上，并且具有输入动态范围大、电源电压宽等特点。

摘要：气瓶柜是处理半导体特殊气体的重要装置。本文着重介绍了半导体气瓶柜吹洗系统的结构特点、设计要求，以及气体处理技术和安全操作。

摘要：介绍了一种超高速八位移位寄存器的设计和工艺制造技术。采用单元结构设计方法进行逻辑设计、电路设计、版图设计和整体设计,用3μm双埋层对通pn结隔离ECL技术进行工艺制作,其最高工作频率达到400MHz以上,工作温度范围为-55℃～85℃,比常规的TTL或者COMS移位寄存器工作频率高40倍。

摘要：介绍了一种新型的电流型负脉冲输出脉宽调制器SW1847的设计原理;列出了SW1847电路的主要指标。

摘要：本文介绍了一种精密波形发生器的工作原理、电路设计、版图设计和制作工艺。该电路采用了模拟实验确定的优化单元电路结构,进行了计算机功能模拟,选用了合理的元件和版图布局,采用了对通隔离技术,并运用了肖特基势垒二极管和薄膜电阻等工艺。研制的电路功能多、性能良好,可广泛应用于计算机、自动控制、通信和测量等领域。

摘要：本文介绍一种采用Ｒ－２Ｒ梯形电阻网络和ＣＭＯＳ模拟开关的典型结构的单片１０位Ｄ／Ａ转换器。在设计和制作上进行优化，不用激光修调能够达到１０位精度，在全温范围内有较高的温度跟踪特性。

摘要：本文提出了一种CMOS四象限模拟乘法器。这种乘法器基于MOS晶体管的电流-电压平方关系,采用线性MOS跨导器、悬浮电压发生器和线性MOS电阻完成乘法运算。这种乘法器具有单端输出电压和较好的温度特性。文章比较详细地介绍了电路特点和工作原理,分析了电路的温度性能,并给出了SPICEⅡ的模拟结果。

摘要：传统的集成12位D/A转换器要求用精密的薄膜电阻网络和电阻的激光修调技术。本文介绍的分段设计技术只需要采用常规的高速双极数字IC工艺,采用扩散电阻方法,不需要微调技术,就能保证其D/A的单调性。它比用激光修调的R—2R薄膜电阻网络结构的12位D/A转换器具有更均匀的台阶尺寸,其电阻的精度要求也比后者放宽了8倍;由于内部采用了ECL电路的结构形式,工作速度快,其建立时间在80～100ns。

摘要：本文介绍了ＭＣＭ真对数放大器的设计原理，通过ＳＨ３０６的有关数据，展示出它广泛的应用范围，给出了应用数据和应用电路，供用户使用时参考。