摘要：超导量子比特利用了超导约瑟夫森隧道结的非线性效应,采用了半导体集成电路的工艺,以其无能耗,大设计加工自由度,易规模化等优点而倍受注目。本文对超导量子比特的基本原理及发展过程作了简要综述。首先简要回顾了量子计算的历史,然后介绍了超导量子比特的设计及其调控,并对各种超导量子比特的消相干进行了讨论。

摘要：根据准相位匹配原理 ,对钼酸钆晶体用于准相位匹配倍频过程的周期性畴结构进行了设计 ,当入射基频光为 1 .0 64μm时 ,所需的钼酸钆晶体畴结构周期为 5 .54μm。利用外电场极化 ,当外电场为 2 .5kV/mm时 ,钼酸钆晶体的畴结构反转时间tc=50 0～ 60 0 μs。当外电场脉冲幅值为 2 .5kV/mm、脉冲延续时间t=0 .6～ 0 .8tc 时 ,在钼酸钆晶体中制备得到了周期畴结构。当Nd∶YAG纳秒激光器输出准连续功率为 7～ 1 0mW的 1 0 64μm激光通过具有周期畴结构的样品时 ,获得了 0 .532

摘要：具有ABO3型钙钛矿结构的Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)展示出良好的铁电极化性能,是使用最广的铁电材料.然而,在将它应用于铁电存储时,PZT薄膜遭遇到极化疲劳问题而被SrBi2Ta2O9(SBT)等铁电体所替代,这一问题至今未能得到妥善解决.文章首先通过变温极化疲劳实验充分理解PZT极化疲劳的基本过程,然后有针对性地进行材料设计,获得基本无极化疲劳的PZT铁电薄膜.

摘要：量子密度矩阵描述了量子态的性质,因此如何有效地测量密度矩阵是量子力学的核心课题之一.最近,几个研究组发展了一种基于弱值的直接测量密度矩阵的方法.相较于常用的量子态层析技术,这种方法能够更直接和更简便地重构密度矩阵.然而这种方法需要耦合额外的测量指针,从而也增加了测量的复杂度和测量系统的设计困难.本文先回顾并讨论了量子态直接测量的相关研究,然后基于δ-淬火直接测量波函数的方法提出了一种新的直接测量密度矩阵的方法.这种方法无需耦合外部测量指针,因此可以降低测量的复杂度和测量系统的设计困难,更进一步地简化了直接测量密度矩阵的实验过程.基于此方法,提出了更高信号强度以及更少操作次数等两种无指针直接测量方案,并对比分析了它们在不同的测量条件下的优缺点.最后,具体设计了测量光子密度矩阵的实验.

摘要：详细论述了GaN器件热瓶颈的原因,并对近年来国外正在开展的先进芯片级散热技术研究情况进行系统分析和评述。揭示了高导热材料及微流体与芯片近结集成的各类散热技术的热设计原理、工艺开发和面临的技术挑战,阐述了GaN器件芯片级热管理的技术现状和发展方向。

摘要：凹陷状胶体粒子的自组装具有独特的方向性和形状识别性,是最近几年自组装研究的热点问题之一.由于缺乏合适的实验模型系统,至今为止,大部分研究都是以计算机模拟为主.为了从实验上研究凹陷状胶体粒子的自组装现象,本文首次采用分散聚合的方法,设计并成功合成了两种单分散性的、具有不同数目凹陷的胶体粒子:单凹陷粒子和多凹陷粒子.通过扫描电镜和光学显微镜对合成的凹陷粒子的形貌、大小进行分析,结果表明所得到的凹陷粒子为大小均一的微米级胶体粒子,表面光滑,在水溶液中能稳定分散,适合利用光学显微镜直观研究胶体凹陷粒子自组装.本文考察了单凹陷胶体粒子的方向性聚集组装和多凹陷粒子的特定识别性自组装现象.我们研究发现,在交变电场中,单凹陷粒子倾向于侧向移动,容易定向自组装成线性结构,使得该粒子在模拟碗状粒子凝聚态物理结构方面具有潜在的应用.另外,本文以多凹陷胶体粒子为"锁",聚苯乙烯圆球为"钥匙",研究了多凹陷粒子与圆球粒子的"锁-钥"自组装现象,展现了圆球粒子与凹陷粒子之间丰富的"锁-钥"自组装可能性,并初步探讨了其形成机制.

摘要：量子信息和量子计算有可能给人类带来新的革命性发展.超导量子比特作为实现量子计算的方案之一,以其低耗散,大设计加工自由度,易规模化等优点而备受注目.文中对超导量子比特的基本原理及发展前景作了简要综述,并介绍了作者的研究进展.

摘要：非线性失真严重制约了直接调制DFB激光器的应用,平衡调制技术能够有效抑制非线性失真。理论分析了平衡调制技术抑制非线性失真的原理。将平衡调制的两个DFB激光器集成在同一个芯片上,并封装在同一个管壳内实现了平衡调制集成(IDPM)DFB激光器,基于IDPM DFB激光器设计了光载微波(Ro F)链路。实验证明该方法能够明显抑制激光器的非线性失真。该方案减小了平衡调制激光器的体积,降低了制作成本,提高了稳定性,进一步拓展了直接调制DFB激光器的应用范围。

摘要：本文以一种水溶性的冠醚环化四硫富瓦烯羧酸为配体,成功合成并表征了结构新颖的含四硫富瓦烯衍生物的二价钴一维配位聚合物[{Co2(trioTTF)2(H2O)6}·5H2O]n(1).X射线单晶衍射结构分析表明,在配位聚合物1中Co2+离子之间通过羧酸桥联形成一维链状结构,相邻链的四硫富瓦烯羧酸配体之间存在较短的S····S相互作用.尽管配位聚合物1的室温电导率很小,但其电阻-温度特性曲线显示具有半导体性质.同时,磁性研究表明,低温下由羧酸桥联的Co2+离子存在弱的铁磁相互作用.本研究为分子磁性半导体的进一步设计合成提供了思路.